公开(公告)号：CN119208285A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202410461696.1

申请日：2024-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林俊成 ,  池永根

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体封装，包括：封装衬底；再分布结构，包括单层的绝缘层和多个水平再分布结构，单层的绝缘层位于在封装衬底上方，多个水平再分布结构嵌入绝缘层中并且在平行于封装衬底的上表面的第一水平方向上以及垂直于第一水平方向的第二水平方向上并排布置；外部连接端子，布置在再分布结构下方；以及半导体芯片，设置在再分布结构上，并且包括芯片主体以及布置在芯片主体下方的芯片连接端子；其中，多个水平再分布结构中的每一个包括穿过绝缘层的过孔和示踪图案，示踪图案与过孔一体地形成，并且相对于第一水平方向和第二水平方向倾斜并伸长。

公开(公告)号：CN119230484A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410176194.4

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林俊成 ,  池永根

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/54 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：再分布衬底；第一半导体芯片，设置在再分布衬底的在第一方向上的右侧部分上；贯通柱，在与第一半导体芯片的在第一方向上的左侧相邻的区域中设置在再分布衬底上；散热芯片，设置在第一半导体芯片上；以及第二半导体器件，在贯通柱上与散热芯片相邻设置。金属焊盘和粘合层设置在散热芯片与第一半导体芯片之间。