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发明公开
集成电路器件及其形成方法审中-公开

公开(公告)号：CN119521768A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411064035.1

申请日：2024-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载泓 , 徐康一 , 林修永 , 洪元赫

IPC: H10D84/85 , H10D84/03

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。作为一示例，一种集成电路器件可以包括：基板；第一晶体管结构，在基板上；第二晶体管结构，在垂直方向上堆叠在第一晶体管结构上；隔离层，在垂直方向上在第一晶体管结构和第二晶体管结构之间；以及二极管结构，在基板上并在水平方向上与第一晶体管结构相邻。二极管结构可以是在第二晶体管结构的栅电极和基板之间的放电路径的一部分。放电路径可以延伸穿过隔离层。

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