公开(公告)号：CN107025926A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610974364.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商秀 ,  沈炯教

IPC: G11C8/06 ,  G11C8/12 ,  G11C7/10

CPC classification number: G06F3/0656 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0685 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5642 ,  G11C2211/5643 ,  G11C2211/5644 ,  G11C8/06 ,  G11C7/1057 ,  G11C8/12

Abstract: 本申请提供了存储装置和操作存储装置的方法。存储装置包括存储单元阵列和页缓冲器电路。存储单元阵列包括多个存储单元，而且所述多个存储单元被划分为第一存储器组和第二存储器组。第一页缓冲器组耦合至第一存储器组并且包括多个第一页缓冲器。第二页缓冲器组耦合至第二存储器组并且包括多个第二页缓冲器。第一页缓冲器组针对储存在第一页缓冲器组中的数据执行第一数据处理操作，并储存第一数据处理操作的结果。第二页缓冲器组针对储存在第二页缓冲器组中的数据执行第二数据处理操作，并储存第二数据处理操作的结果。第一数据处理操作和第二数据处理操作基本上同时执行。

公开(公告)号：CN107025926B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201610974364.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商秀 ,  沈炯教

IPC: G11C8/06 ,  G11C8/12 ,  G11C7/10

Abstract: 本申请提供了存储装置和操作存储装置的方法。存储装置包括存储单元阵列和页缓冲器电路。存储单元阵列包括多个存储单元，而且所述多个存储单元被划分为第一存储器组和第二存储器组。第一页缓冲器组耦合至第一存储器组并且包括多个第一页缓冲器。第二页缓冲器组耦合至第二存储器组并且包括多个第二页缓冲器。第一页缓冲器组针对储存在第一页缓冲器组中的数据执行第一数据处理操作，并储存第一数据处理操作的结果。第二页缓冲器组针对储存在第二页缓冲器组中的数据执行第二数据处理操作，并储存第二数据处理操作的结果。第一数据处理操作和第二数据处理操作基本上同时执行。