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公开(公告)号：CN101369588B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810161853.8
申请日：2003-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/78696
Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。
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公开(公告)号：CN102053436A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010503957.X
申请日：2010-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/133512 , G02F2001/134345 , G02F2001/13606 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置和一种制造该液晶显示装置的方法。该液晶显示装置包括：第一绝缘基底；栅极线和数据线，形成在第一绝缘基底上并彼此交叉；第一像素电极，形成在第一绝缘基底上并包括物理分离的第一部分和第二部分；第二像素电极，形成在第一绝缘基底上并与第一像素电极形成电场；连接桥，包括至少一层导电层并通过接触孔将第一部分与第二部分电连接；至少一层绝缘层，位于第一像素电极和连接桥之间，其中，接触孔形成在所述至少一层绝缘层内。
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公开(公告)号：CN101494014A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200810186720.6
申请日：2008-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09F9/30
CPC classification number: G09G3/3225 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/1345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , G09G3/20 , G09G3/3648 , G09G2300/04 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0842 , G09G2310/08 , G09G2320/0223 , Y10T29/49155
Abstract: 一种显示器件及其方法，根据本发明的显示器件包括第一基板，形成于所述第一基板上的驱动部分；形成于所述第一基板上以传输信号从而驱动所述驱动部分的多个信号线；与所述第一基板相对的第二基板；以及形成于所述第二基板上的导电构件，其中，所述驱动部分与所述导电构件交叠，以及所述信号线设置在所述导电构件的交叠区域外的位置处。因此，信号线之间的电容基本相同。
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公开(公告)号：CN101290939A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810108486.5
申请日：2004-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白承洙
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02F1/1343
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，其包括薄膜晶体管阵列板和面对薄膜晶体管阵列板的共用电极板。薄膜晶体管阵列板包括：第一栅极线；与所述栅极线相交的数据线；包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极的第一薄膜晶体管；与所述漏极连接的第一像素电极；以及与所述像素电极和漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的电容器电极。所述共用电极板包括面对所述像素电极并具有面对所述漏极和电容器电极中至少之一的开口的共用电极。
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公开(公告)号：CN101055385A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200610064312.4
申请日：2006-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/134345
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，其包括：基板；形成在基板上的多个像素电极，其中每个像素电极包括第一和第二子像素电极；形成在基板上的多条第一数据线，其中多条第一数据线中的第一数据线不与多个像素电极的一个像素电极的第一子像素重叠而与其的第二子像素电极部分重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866527A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610072486.5
申请日：2006-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1393 , G02F2001/13606
Abstract: 本发明提供了一种用于保持在单个像素中出现均匀的寄生电容的薄膜晶体管(TFT)阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线，设置在绝缘基底上，并在行方向上延伸且具有栅电极；半导体层，设置在栅电极的上方且与栅电极绝缘；数据线，具有源电极，源电极与半导体层至少部分叠置，数据线在列方向上延伸，与栅极线交叉并与栅极线绝缘；漏电极，与环绕栅电极的源电极相对，并与半导体层至少部分叠置且跨过栅电极；像素电极，设置在所得的结构的上方并与所得的结构绝缘，像素电极电连接到漏电极，并被区域分隔物划分成多个小区域。
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公开(公告)号：CN101097383B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710126867.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136213
Abstract: 本发明公开了一种LCD阵列基底，该LCD阵列基底包括栅极线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和存储线。像素电极形成在由栅极线和数据线限定的单位像素中，并且电连接到薄膜晶体管。存储线包括主存储线、第一子存储线和第二子存储线。第一子存储线与像素电极的第一边缘部分叠置第一长度。第二子存储线与像素电极的与第一边缘部分相对的第二边缘部分叠置第一长度。这种布置防止由像素电极的错位引起的反冲电压的变化，从而提高显示图像的质量。
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公开(公告)号：CN102043298A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010506207.8
申请日：2010-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , H01L27/02 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/134363 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G02F2001/136218 , G02F2201/124 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开显示基板及其制造方法和具有显示基板的显示装置。本发明的一种显示基板包括第一像素电极和第二像素电极。第一像素电极包括多个第一电极条。数据线向第一像素电极提供数据电压。第二像素电极包括与第一电极条交替设置的多个第二电极条。第一电源线邻近栅极线形成，从而向第二像素电极提供第一电压。第二电源线与第一电源线交叉，并且与第一电源线电连接。第一开关元件与数据线、栅极线和第一像素电极电连接。第二开关元件与第一电源线、栅极线和第二像素电极电连接。
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公开(公告)号：CN1866117B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200610091651.1
申请日：2006-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
Abstract: 一种液晶显示装置包括：多条数据线，每条数据线具有多个直线部分和连接到多个直线部分的多个弯曲部分；多条栅极线，与数据线交叉；薄膜晶体管，连接到数据线和栅极线；和像素电极，连接到薄膜晶体管。因此，即使在驱动反转成为列反转的情况下，外观反转也可以成为点反转。由此，消除横向行闪烁并增加像素的充电率成为可能。另外，可以保持像素的均匀性，从而可以将反转驱动方案应用到PVA模式。由此，获得宽视角和提高侧面或者边缘的可视性成为可能。
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公开(公告)号：CN101369588A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810161853.8
申请日：2003-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/78696
Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。
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