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公开(公告)号：CN101635172B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN200910165172.3
申请日：2009-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621
Abstract: 一种非易失性存储器件包括多个存储单元。每个存储单元被配置为实现多个状态之一，而每个状态代表不同的多位数据。在一个实施例中，所述编程方法包括同时地(1)将第一存储单元从第一选择状态编程为第二选择状态、以及(2)将第二存储单元从第三选择状态编程为精细第三选择状态。所述精细第三选择状态具有比第三选择状态更高的检验电压。
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公开(公告)号：CN111161777A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910958577.6
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
Abstract: 公开一种非易失性存储器装置、对其执行操作的方法以及存储装置。一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块，其中，所述多个存储器块中的每个存储器块包括均包括存储器单元的页；行解码器电路，在写入操作中从所述多个存储器块中的选择的存储器块选择所述多个页中的一个页，并且在关闭操作中从选择的存储器块选择关闭单元的存储器单元；以及页缓冲器电路，在写入操作中将数据写入由行解码器电路选择的页的存储器单元中，并且在关闭操作中将虚设数据写入由行解码器电路选择的关闭单元的存储器单元中。关闭单元包括一个或多个页，在关闭操作中，行解码器电路调节关闭单元的大小。
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公开(公告)号：CN103456357B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201310216818.2
申请日：2013-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F11/1471 , G06F2212/7202
Abstract: 公开了一种在包括非易失性存储器件的存储设备中写数据的方法。该方法包括随写请求一起接收写数据，检测自由块的数量，如果检测出的自由块的数量小于阈值，则仅仅按照子块单位来分配日志块，但是如果检测出的自由块的数量不小于阈值，则按照子块单位和物理块单位之一来分配日志块，其中子块单位小于物理块单位。
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公开(公告)号：CN103455384A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310217089.2
申请日：2013-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/07
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F11/1415 , G06F11/1666 , G06F11/20 , G06F12/0246 , G06F2212/7209 , G11C16/105 , G11C29/785 , G11C29/808 , G11C29/82 , H01L27/1158
Abstract: 公开了一种存储设备，其包括：非易失性存储器件，其包括存储块，该存储块的编程次序与存储单元的布置无关地来调整；以及存储器控制器，其执行地址映射以便用存储块的正常页替换存储块的坏页。
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公开(公告)号：CN103035294A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210371210.2
申请日：2012-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/349
Abstract: 公开了执行读重试的方法和用于执行这样的方法的设备，所述方法包括利用新的读参数读取非易失性存储器。读重试操作和/或后续读重试操作可以在确定这样的读重试操作被批准之前开始和/或完成。例如，可以利用施加于页面的字线的新的读电压电平在读重试操作中读取NAND闪速存储器的页面。例如，可以在确定目标页面的先前读取的数据页面的错误无法通过ECC操作纠正之前对目标页面执行读重试操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108108810B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201711191140.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问，并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
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公开(公告)号：CN108108810A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711191140.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问，并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
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公开(公告)号：CN103455384B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201310217089.2
申请日：2013-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/07
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F11/1415 , G06F11/1666 , G06F11/20 , G06F12/0246 , G06F2212/7209 , G11C16/105 , G11C29/785 , G11C29/808 , G11C29/82 , H01L27/1158
Abstract: 公开了一种存储设备，其包括：非易失性存储器件，其包括存储块，该存储块的编程次序与存储单元的布置无关地来调整；以及存储器控制器，其执行地址映射以便用存储块的正常页替换存储块的坏页。
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公开(公告)号：CN103456357A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310216818.2
申请日：2013-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F11/1471 , G06F2212/7202
Abstract: 公开了一种在包括非易失性存储器件的存储设备中写数据的方法。该方法包括随写请求一起接收写数据，检测自由块的数量，如果检测出的自由块的数量小于阈值，则仅仅按照子块单位来分配日志块，但是如果检测出的自由块的数量不小于阈值，则按照子块单位和物理块单位之一来分配日志块，其中子块单位小于物理块单位。
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公开(公告)号：CN101635172A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910165172.3
申请日：2009-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621
Abstract: 一种非易失性存储器件包括多个存储单元。每个存储单元被配置为实现多个状态之一，而每个状态代表不同的多位数据。在一个实施例中，所述编程方法包括同时地(1)将第一存储单元从第一选择状态编程为第二选择状态、以及(2)将第二存储单元从第三选择状态编程为精细第三选择状态。所述精细第三选择状态具有比第三选择状态更高的检验电压。
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