公开(公告)号：CN110890320A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910822609.X

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林 ,  李锡贤

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。制造半导体封装件的方法包括：提供半导体芯片；形成再分布基板；以及制造包括设置在所述再分布基板上的所述半导体芯片的封装件。形成所述再分布基板可以包括：在基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层中形成有第一开口；在所述第一开口中和所述第一绝缘层上形成一体形成的第一再分布图案；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以覆盖所述第一再分布图案；以及对所述第二绝缘层执行平坦化工艺，以暴露所述第一再分布图案。

公开(公告)号：CN109087867A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810607736.3

申请日：2018-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林 ,  柳承官 ,  李锡贤

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。制造半导体封装件的方法包括在半导体器件的芯片焊盘上形成覆盖图案。半导体器件包括暴露芯片焊盘的一部分的钝化图案，覆盖图案覆盖芯片焊盘。所述方法还包括在覆盖图案上形成再分布层。形成再分布层的步骤包括：在覆盖图案和钝化图案上形成第一绝缘图案；通过对第一绝缘图案执行曝光工艺和显影工艺来在第一绝缘图案中形成第一开口，其中，所述第一开口暴露覆盖图案的一部分；以及在第一开口中形成再分布图案。

公开(公告)号：CN109390296B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201810902543.0

申请日：2018-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林 ,  李锡贤

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 提供一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件的再分布层的绝缘层可以形成为形成有无机填料的聚合物膜。无机填料可以捕捉反应性材料以抑制和/或基本上防止金属导体(诸如被封装的半导体芯片的芯片焊盘)被所述反应性材料损坏。因此，可以提高半导体封装件的可靠性和耐用性。

公开(公告)号：CN115763433A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210608010.8

申请日：2022-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱燕 ,  石敬林 ,  李元宰

IPC: H01L23/552 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：封装基底；中介体，在封装基底上；芯片堆叠体，在中介体上，芯片堆叠体包括在第一方向上堆叠的多个第一半导体芯片；第二半导体芯片，在中介体上，并且在与第一方向相交的第二方向上与芯片堆叠体间隔开；以及第一信号垫、第二信号垫和电力/接地垫，在中介体的顶表面上，其中，芯片堆叠体安装在第一信号垫上，其中，第二半导体芯片安装在第二信号垫上，其中，芯片堆叠体和第二半导体芯片连接到电力/接地垫，并且其中，电力/接地垫与芯片堆叠体的一部分和第二半导体芯片的一部分叠置。

公开(公告)号：CN111009500A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910765391.9

申请日：2019-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/60

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法，可包括：形成下部再分布层；形成堆叠体；将堆叠体接合至下部再分布层的一部分；在下部再分布层的顶表面上堆叠半导体芯片；以及在半导体芯片和堆叠体上形成上部再分布层。

公开(公告)号：CN109390296A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810902543.0

申请日：2018-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林 ,  李锡贤

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 提供一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件的再分布层的绝缘层可以形成为形成有无机填料的聚合物膜。无机填料可以捕捉反应性材料以抑制和/或基本上防止金属导体(诸如被封装的半导体芯片的芯片焊盘)被所述反应性材料损坏。因此，可以提高半导体封装件的可靠性和耐用性。

公开(公告)号：CN119340275A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410440628.7

申请日：2024-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林 ,  郑基珉 ,  黄贤瀞

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种包括具有高可靠性的焊盘的半导体封装以及制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括第一再分布基板、在第一再分布基板上的半导体芯片、围绕半导体芯片延伸并在第一再分布基板上的贯通柱、以及在半导体芯片和贯通柱上的第二再分布基板。第一焊盘区和第二焊盘区被限定在第二再分布基板的上表面上，第一焊盘区位于第二再分布基板的中心部分，并且第二焊盘区围绕第一焊盘区延伸，平面形状的第一类型焊盘位于第一开口中，具有外突出部分的第二类型焊盘位于第二开口中。

公开(公告)号：CN115708200A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202210672529.2

申请日：2022-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林 ,  李邦元 ,  李锡贤

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485

Abstract: 一种半导体封装件包括：封装基板；第一半导体芯片，安装在所述封装基板上；第一模制层，位于所述封装基板上并且围绕所述第一半导体芯片；再分布层，位于所述第一模制层上；第一贯穿通路，垂直地穿透所述第一模制层并且将所述封装基板连接到所述再分布层；第二半导体芯片，安装在所述再分布层上；第二模制层，位于所述再分布层上并且围绕所述第二半导体芯片；以及第二贯穿通路，所述第二贯穿通路垂直地穿透所述第二模制层并且连接到所述再分布层。所述第一贯穿通路的第一宽度小于所述第二贯穿通路的第二宽度。所述第二贯穿通路与所述第二半导体芯片的信号电路是电浮置的。

公开(公告)号：CN114068506A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110765738.7

申请日：2021-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄贤净 ,  石敬林 ,  李锡贤 ,  张在权

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一重新分布衬底；第一半导体芯片，其安装在第一重新分布衬底上；第一模制层，其位于第一重新分布衬底上，并且覆盖第一半导体芯片的顶表面和侧表面；第二重新分布衬底，其位于第一模制层上；以及粘合膜，其位于第二重新分布衬底与第一模制层之间。粘合膜与第一半导体芯片间隔开，并且覆盖第一模制层的顶表面。粘合膜的侧表面与第二重新分布衬底的侧表面共面。

公开(公告)号：CN111009498A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910676642.6

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石敬林

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/492 ,  H01L23/31 ,  H01L23/045 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法，可包括：形成下部再分布层；在所述下部再分布层的一部分上形成堆叠体，以及在所述下部再分布层的顶表面上堆叠半导体芯片。所述堆叠体的形成可以包括：涂覆光可成像电介质材料以在所述下部再分布层的顶表面上形成第一绝缘层，形成第一通路以穿透所述第一绝缘层，涂覆光可成像电介质材料以在所述第一绝缘层的顶表面上形成第二绝缘层，以及形成第二通路以穿透所述第二绝缘层。