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发明公开
降低厚度变化的化学机械抛光方法及半导体器件制备方法无效

公开(公告)号：CN101005025A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710086036.6

申请日：2007-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹一永 , 秋在昱 , 具滋应

IPC: H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种在具有密集和稀疏区域的半导体器件的制造中使用的化学机械抛光(CMP)方法。该方法通过刚性固定研磨抛光垫使用形成在密集和稀疏区域上的研磨停止层来控制形成在研磨停止层上的材料层的抛光。

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