公开(公告)号：CN120072799A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411403571.X

申请日：2024-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘承勇 ,  郑恩志 ,  金洛焕 ,  车承根

IPC: H01L23/538

Abstract: 半导体装置包括在下层间绝缘膜内延伸的下布线结构；下布线结构包含下阻挡膜和下填充膜。提供了在下层间绝缘膜上延伸的上层间绝缘膜；上层间绝缘膜中具有上布线沟槽。提供了在上布线沟槽内延伸并且电连接到下布线结构的上布线结构；上布线结构包括上阻挡膜、上填充膜和在上填充膜上延伸的上封盖膜。上填充膜在上阻挡膜上延伸并且与上阻挡膜接触，上阻挡膜包括沿着上布线沟槽的侧壁延伸的侧壁部分，并且上阻挡膜的侧壁部分包括掺杂有锰(Mn)的氮化钽。

公开(公告)号：CN112310222A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010707043.9

申请日：2020-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  朴钟昊 ,  穆沙拉特·哈桑 ,  金完敦 ,  车承根

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/40

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上或者位于所述衬底中的沟道；源极/漏极对，分别位于所述沟道的相对端；以及栅极结构，所述栅极结构在所述沟道上位于所述源极/漏极对之间，其中，所述栅极结构包括顺序地堆叠在所述沟道上的界面层、铁电层、稳定化层、氧扩散阻挡层和阈值电压控制层。

公开(公告)号：CN112289862A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010710454.3

申请日：2020-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟昊 ,  李炳训 ,  车承根 ,  金完敦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置包括：第一有源图案，其位于衬底的第一区上；一对第一源极/漏极图案，其位于第一有源图案上；第一沟道图案，其位于所述一对第一源/漏图案之间；以及栅电极，其横跨第一沟道图案延伸。栅电极位于第一沟道图案的最上面的表面和至少一个侧壁上。栅电极包括：第一金属图案，其包括p型功函数金属；第二金属图案，其位于第一金属图案上，并且包括n型功函数金属；第一阻挡图案，其位于第二金属图案上，并且包括包含钨(W)、碳(C)和氮(N)的非晶态金属层；以及第二阻挡图案，其位于第一阻挡图案上。第二阻挡图案包括p型功函数金属。