公开(公告)号：CN118737970A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311746798.X

申请日：2023-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车承珉 ,  金珍圭 ,  南润锡

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50

Abstract: 一种半导体器件包括：第一衬底，包括第一区域和第二区域；有源图案，设置在所述第一区域上；源极/漏极图案，设置在所述有源图案上；贯通接触，设置在所述第二区域上；第一金属层，设置在所述贯通接触上；第二衬底，设置在所述第一金属层上，其中，所述第二衬底包括杂质区域；下接合焊盘，设置在所述第一金属层与所述第二衬底之间；上接合焊盘，设置在所述下接合焊盘上；以及电力传输网络层，设置在所述第一衬底的底表面上，其中，所述下接合焊盘和所述上接合焊盘彼此接触，其中，所述贯通接触连接到所述下接合焊盘，并且其中，所述杂质区域连接到所述上接合焊盘。

公开(公告)号：CN117497537A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310423021.3

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车承珉 ,  宋昇珉 ,  金荣佑 ,  金珍圭 ,  刘素罗 ,  李南玹 ,  李城门

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L23/535

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有彼此相对的前表面和后表面以及在前表面中由沟槽限定的鳍式有源区；器件分隔层，填充沟槽；源极/漏极区，在鳍式有源区上；第一导电插塞，布置在源极/漏极区上并电连接到源极/漏极区；电力布线，至少部分地布置在基底的下表面上；掩埋轨道，穿过器件分隔层连接到电力布线，并且掩埋轨道的水平宽度朝向电力布线减小；以及电力过孔，将掩埋轨道连接到第一导电插塞。

公开(公告)号：CN117423697A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310821042.0

申请日：2023-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘素罗 ,  李敬雨 ,  李城门 ,  车承珉 ,  赵学柱

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体器件包括：平行有源区，在衬底上，并且在第一水平方向上延伸；栅结构，与有源区相交，在第二水平方向上延伸，并且包括在第二水平方向上彼此相对的第一栅结构和第二栅结构；源/漏区，包括第一源/漏区和第二源/漏区，在栅结构的至少一侧上并且在有源区上；栅分离图案，在第一栅结构和第二栅结构之间；竖直导电结构，在栅分离图案中；接触插塞，包括电连接到第一源/漏区和竖直导电结构的第一接触插塞、以及电连接到第二源/漏区并且与竖直导电结构间隔开的第二接触插塞；以及接触分离图案，分离第一接触插塞和第二接触插塞，并且具有接触竖直导电结构的上表面的部分。

公开(公告)号：CN117276276A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310700153.6

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车承珉 ,  郭玟燦 ,  黄东勳 ,  刘素罗 ,  李城门

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体装置，其包括：第一有源区域和第二有源区域，在基底上并在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源区域和第二有源区域上，第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，分别在第一有源区域和第二有源区域上并与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；第一接触插塞和第二接触插塞，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上并分别连接到第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；以及垂直掩埋结构，在第一栅极结构与第二栅极结构之间并在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。垂直掩埋结构包括与第一接触插塞接触的第一侧表面。

公开(公告)号：CN119922971A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202410584916.X

申请日：2024-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘素罗 ,  李东润 ,  车承珉 ,  金知雄

IPC: H10D84/83

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：二极管图案，包括在基底绝缘层上具有彼此相反导电类型的第一导电区域和第二导电区域；绝缘层，在基底绝缘层上覆盖二极管图案；布线部分，在绝缘层上；以及贯穿连接器，在二极管图案的外围处延伸穿过绝缘层，以将二极管图案和布线部分电连接。

公开(公告)号：CN117673025A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311159755.1

申请日：2023-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知雄 ,  金昊俊 ,  李城门 ,  车承珉

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种集成电路设备包括：介电层；在介电层的第一表面上的第一电力输送网络层；在介电层的第二表面上的第二电力输送网络层，其中，介电层的第二表面在垂直方向上与介电层的第一表面相对；以及在介电层的第一表面和第二表面之间的通孔电容器，其中，通孔电容器包括在第一水平方向和与第一水平方向相交的第二水平方向中的一个上彼此间隔开的第一通孔电极结构和第二通孔电极结构，并且通孔电容器的第一端部和与第一端部相对的第二端部分别电连接到第一电力输送网络层和第二电力输送网络层。

公开(公告)号：CN118053876A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310806747.5

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  南润锡 ,  金珍圭 ,  刘素罗 ,  李城门 ,  车承珉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源图案，在基底上彼此相邻；第一源极/漏极图案，分别在第一有源图案上并且彼此相邻；第一分隔结构和第二分隔结构，与第一有源图案交叉并且布置在基底上，使得第一源极/漏极图案中的相邻第一源极/漏极图案置于第一分隔结构与第二分隔结构之间；第一贯穿过孔，在所述相邻第一源极/漏极图案之间；第一电力线，在第一贯穿过孔上并且电连接到第一贯穿过孔；电力输送网络层，在基底的底表面上；以及第一下贯穿过孔，在电力输送网络层与第一贯穿过孔之间。

公开(公告)号：CN117199131A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310529488.6

申请日：2023-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍圭 ,  南润锡 ,  李敬雨 ,  金昊俊 ,  D·R·吴 ,  李城门 ,  赵学柱 ,  车承珉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置包括：底部衬底；设置在底部衬底上的第一层间绝缘层；设置在第一层间绝缘层内的电力轨；有源图案，其在第一水平方向上延伸并且设置在第一层间绝缘层上；栅电极，其在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，并且设置在有源图案上；栅极切割件，其在第一水平方向上延伸并且设置在电力轨上，其中，栅极切割件分离栅电极；以及电力轨穿通件，其设置在栅极切割件内，其中，电力轨穿通件与电力轨重叠。