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公开(公告)号：CN110164904B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201811561259.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
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公开(公告)号：CN109659430A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811092261.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L23/525 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/16
Abstract: 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。
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公开(公告)号：CN116414516A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211529120.1
申请日：2022-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种虚拟化系统包括处理器、主机操作系统(OS)、至少一个客户操作系统、虚拟机监视器、至少一个硬件输入/输出(I/O)设备和至少一个硬件接口设备。处理器为虚拟化环境提供功能。主机操作系统在虚拟化环境上运行。所述至少一个客户操作系统在虚拟化环境的至少一个虚拟机上运行。虚拟机监视器使用处理器的功能来实现虚拟化环境，并且生成并控制虚拟化环境的所述至少一个虚拟机。所述至少一个硬件输入/输出设备由主机操作系统和所述至少一客户操作系统控制。所述至少一个硬件接口设备支持所述至少一个客户操作系统和所述至少一个硬件输入/输出设备之间的通信。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109659430B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811092261.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。
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公开(公告)号：CN115390985A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210547558.6
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/455
Abstract: 提供了一种虚拟化系统和防止虚拟化系统的存储器崩溃的方法。所述虚拟化系统包括：存储器装置；处理器，被配置为提供虚拟化环境；直接存储器存取装置，被配置为执行对存储器装置的直接存储器访问的功能；和存储器管理电路，被配置为管理处理器对存储器装置的核访问和直接存储器访问装置对存储器装置的直接访问。处理器还被配置为提供：多个客户操作系统，在虚拟化环境的多个虚拟机上彼此独立地运行；和管理程序，被配置为：控制虚拟化环境中的所述多个虚拟机，并且当所述多个客户操作系统中的控制直接存储器访问装置的目标客户操作系统被重启时，控制存储器管理电路阻止直接访问。
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公开(公告)号：CN110164904A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201811561259.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
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