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公开(公告)号：CN109904302B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201810803089.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光器件包括具有第一表面和第二表面的发光芯片。第一光反射图案形成在第二表面上。多个端子设置成通过穿过第一光反射图案而连接到发光芯片。第二光反射图案形成在发光芯片的侧表面和第一光反射图案的侧表面上。透光图案形成在发光芯片和第二光反射图案之间并且在第一光反射图案和第二光反射图案之间延伸。波长转换层形成在发光芯片的第一表面上。
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公开(公告)号：CN103794686B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310513215.9
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
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公开(公告)号：CN108305925A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810030167.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN102903814A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210306242.4
申请日：2012-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：准备衬底，其包括彼此相对的第一及第二主表面；在衬底的第一主表面中形成多个突起部；在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；通过移除形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的发光叠层部分形成多个发光结构；以及沿着沟槽部分离衬底。
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公开(公告)号：CN102891160A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210256528.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/382 , H01L2224/16245
Abstract: 提供了一种半导体发光装置和一种发光设备。半导体发光装置包括：发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1913169A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114928.8
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供了一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。该非易失性存储装置包括开关装置和连接到该开关装置的存储节点。该存储节点包括下电极、数据存储层和上电极。该数据存储层包括在第一电压下形成电流路径的第一区和环绕该第一区的第二区，其中在高于第一电压的第二电压下在该第二区内形成电流路径。该第一区置成接触该上电极和该下电极。
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公开(公告)号：CN110473891B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910103435.1
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种半导体发光器件以及使用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层，包括凹进区域和突出区域；活性层和第二导电类型半导体层，位于突出区域上；反射电极层，设置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，包括设置在第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在反射电极层的接触区域上的第二开口；第一导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第一开口中，以电连接到第一导电类型半导体层的接触区域；第二导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第二开口中，以电连接到反射电极层；以及多层绝缘结构，覆盖第一导电图案和第二导电图案。
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公开(公告)号：CN118448547A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410126584.0
申请日：2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，其布置在第一导电类型半导体层上；有源层；电极层，其形成在第二导电类型半导体层的顶表面上；反射层，其形成在电极层的顶表面的一部分上；接合焊盘，其形成在反射层的顶表面上；绝缘层，其形成在电极层的顶表面的另一部分上；以及绝缘间隔件，其沿着衬底的表面共形地形成。反射层包括不被水溶液蚀刻的材料，水溶液包括四甲基氢氧化铵(TMAH)、KOH、NaOH和NH4OH中的一种，并且接合焊盘具有外壳形状，该外壳形状包括其宽度随着其远离反射层而逐渐减小的部分。
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公开(公告)号：CN110085715A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201811562995.5
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/10
Abstract: 一种半导体发光器件，包括：发光结构，其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔；绝缘反射层，其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔；和反射电极层，其在所述绝缘反射层的所述区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
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公开(公告)号：CN101460015B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200810183836.4
申请日：2008-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/3484 , H05K3/1225 , H05K2201/2027 , H05K2203/1476 , Y10T29/49144
Abstract: 提供了一种用于安装至少两种类型的电子元件的方法和设备。所述方法包括：在基底上安装第一电子元件；在基底上形成掩膜，以暴露第一电子元件和基底的焊膏将被涂敷的区域；在掩膜上的位于第一电子元件周围的部分上形成导向件；通过使用接触掩膜的位于基底的将被涂敷焊膏的所述区域周围的部分的挤压机来将焊膏涂敷到基底上；去除导向件和掩膜；将第二电子元件安装到所述焊膏上。
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