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公开(公告)号：CN103855194B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
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公开(公告)号：CN104347813A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410282938.7
申请日：2014-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开晶体管、制造晶体管的方法和/或包括晶体管的电子装置。在示例实施方式中，晶体管包括彼此串联连接的第一场效应晶体管(FET)和第二FET，其中第一FET的第一栅极绝缘膜和第二FET的第二栅极绝缘膜具有不同的泄漏电流特性或不同的栅极电场特性。
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公开(公告)号：CN117594545A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310393323.0
申请日：2023-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/18 , H10B80/00 , H01L21/56
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件可以包括：第一再分布基板；第二再分布基板，其位于第一再分布基板上；芯片堆叠件，其位于第一再分布基板与第二再分布基板之间；第一模制层，其位于芯片堆叠件上；以及贯通电极，其延伸到第一模制层中并且将第一再分布基板电连接到第二再分布基板。芯片堆叠件可以包括：第一半导体芯片，其位于第一再分布基板上，第一半导体芯片包括在其中延伸的贯通通路；芯片结构，其包括第二半导体芯片和第二模制层，第二半导体芯片位于第一半导体芯片上并且电连接到贯通通路；以及第三半导体芯片，其位于芯片结构与第二再分布基板之间，并且第一半导体芯片的侧表面可以与芯片结构的侧表面共面。
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公开(公告)号：CN116072637A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211356322.0
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金善载
IPC: H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/538 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体封装包括：第一凸块结构，包括设置在第二半导体芯片的第一组的第二后表面焊盘之下的钉头部分和从钉头部分延伸并连接到第一半导体芯片的第一组的第一前表面焊盘的接合引线部分；第二凸块结构，设置在第二半导体芯片的第二组的第二后表面焊盘之下；密封剂，包封第二半导体芯片以及第一凸块结构和第二凸块结构；以及再分布结构，设置在密封剂之下，并包括绝缘层、设置在绝缘层之下的再分布层、以及穿透绝缘层并将再分布层连接到第一凸块结构或第二凸块结构的再分布通路。连接到第一凸块结构的再分布通路的至少一部分与钉头部分接触。
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公开(公告)号：CN104347813B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201410282938.7
申请日：2014-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开晶体管、制造晶体管的方法和/或包括晶体管的电子装置。在示例实施方式中，晶体管包括彼此串联连接的第一场效应晶体管(FET)和第二FET，其中第一FET的第一栅极绝缘膜和第二FET的第二栅极绝缘膜具有不同的泄漏电流特性或不同的栅极电场特性。
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公开(公告)号：CN103855194A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
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公开(公告)号：CN103872138B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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公开(公告)号：CN103872138A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L29/1033 , H01L29/66742
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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公开(公告)号：CN115831986A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210915334.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器封装和包括该图像传感器封装的系统，该图像传感器封装包括：封装基底基板，具有从其上表面向内延伸的空腔，并包括多个上表面连接焊盘和多个下表面连接焊盘；在空腔中的图像传感器芯片，包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的芯片主体、位于芯片主体的第一表面中的传感器单元以及在传感器单元周围的多个芯片焊盘；滤光玻璃，在图像传感器芯片上方，并包括透明基板和在透明基板的下表面上的多个再分布图案；以及在所述多个再分布图案和所述多个芯片焊盘之间以及在所述多个再分布图案和所述多个上表面连接焊盘之间的多个连接端子。
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公开(公告)号：CN115497967A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210665767.0
申请日：2022-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金善载
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种传感器封装件包括：图像传感器，包括主体层、像素层、微透镜阵列、连接端子和贯通通路；支撑结构，设置在像素层上并且具有开口，微透镜阵列容纳在开口中；光学滤波器，设置在支撑结构上并且具有第一区域和第二区域，第一区域在第一方向上与图像传感器交叠，第二区域在与第一方向垂直的第二方向上从第一区域延伸并且在第一方向上不与图像传感器交叠；包封剂，围绕图像传感器的侧表面和支撑结构的侧表面，并且在第二区域中覆盖并接触光学滤波器的下表面的一部分；以及连接凸块，设置在图像传感器的连接端子上。第二区域的下表面与包封剂接触的边界在第二方向上的第一长度大于第二区域的下表面从包封剂暴露的部分在第二方向上的第二长度。
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