公开(公告)号：CN110890118B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910393323.4

申请日：2019-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  金正烈 ,  金铁雄 ,  金铉普 ,  林周延

IPC: G11C11/403 ,  G11C11/4072 ,  G11C11/409

Abstract: 提供一种半导体存储器装置和具有其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：上电信号生成器，被配置为响应于存储器电压达到目标电压电平生成上电信号；初始化器，被配置为响应于上电信号和复位信号生成初始化信号，并响应于初始化操作的完成生成初始刷新命令；以及存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元，存储器单元阵列被配置为：响应于初始刷新命令对所述多个存储器单元执行初始刷新操作。

公开(公告)号：CN113921072A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110649074.8

申请日：2021-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁荣铉 ,  金正烈 ,  金铉普

IPC: G11C29/02 ,  G11C11/407

Abstract: 一种存储器件包括：校准电路，所述校准电路被配置为根据校准命令信号和校准电源电压执行ZQ校准操作；以及校准控制电路，所述校准控制电路被配置为基于通过将所述校准电源电压电平与至少一个参考电压电平进行比较而获得的比较结果来确定所述校准命令信号。

公开(公告)号：CN118016117A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311491691.5

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳宰 ,  洪昇基 ,  金铉普 ,  崔仁寿

IPC: G11C11/401

Abstract: 提供了一种存储器设备，其包括：包括多个存储器单元行的存储器单元阵列，所述多个存储器单元行被分组为多个段；连接到所述多个存储器单元行的行解码器；以及刷新控制电路，配置为生成用于控制对所述多个存储器单元行的刷新操作的刷新控制信号。

公开(公告)号：CN119517110A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411106632.6

申请日：2024-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳宰 ,  金秀旻 ,  金庾灿 ,  金东河 ,  金铉普

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4076

Abstract: 提供了半导体存储器装置和半导体存储器装置的自刷新方法。所述半导体存储器装置的自刷新方法包括：接收与自刷新操作相关联的自刷新进入命令；对从接收到自刷新进入命令的时间起经过的时间进行计数；以及根据在计数的经过的时间超过参考时间之前是否接收到自刷新退出命令来跳过自刷新操作。

公开(公告)号：CN118553281A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311400370.X

申请日：2023-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳宰 ,  洪昇基 ,  金东河 ,  金铉普

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4063

Abstract: 公开了半导体存储器装置及其自刷新方法，所述方法包括：生成指示半导体存储器装置的温度的温度码；生成指示半导体存储器装置的存储器区域中的任何数据错误的第一错误标志；基于温度码和第一错误标志在第一刷新周期内对存储器区域执行第一自刷新操作；生成指示在第一自刷新操作期间存储器区域中的任何数据错误的第二错误标志；以及基于温度码和第二错误标志在第二刷新周期内对存储器区域执行第二自刷新操作，其中，如果第二错误标志指示在第一自刷新操作期间在存储器区域中无数据错误，则第二刷新周期长于第一刷新周期。

公开(公告)号：CN110890118A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910393323.4

申请日：2019-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  金正烈 ,  金铁雄 ,  金铉普 ,  林周延

IPC: G11C11/403 ,  G11C11/4072 ,  G11C11/409

Abstract: 提供一种半导体存储器装置和具有其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：上电信号生成器，被配置为响应于存储器电压达到目标电压电平生成上电信号；初始化器，被配置为响应于上电信号和复位信号生成初始化信号，并响应于初始化操作的完成生成初始刷新命令；以及存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元，存储器单元阵列被配置为：响应于初始刷新命令对所述多个存储器单元执行初始刷新操作。