公开(公告)号：CN101005095A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710001739.4

申请日：2007-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金是垠 ,  白昇宰 ,  霍宗亮 ,  吕寅硕 ,  林昇炫 ,  韩祯希

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：在源区和漏区之间限定的沟道区；在沟道区上设置以存储电荷的电荷存储膜；以及在沟道区和电荷存储膜之间插入的隧道绝缘膜，以隧穿电荷，该隧道绝缘膜具有量子密闭膜。

公开(公告)号：CN101312216A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810142821.3

申请日：2008-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁俊圭 ,  白升宰 ,  卢镇台 ,  林升炫 ,  朱耿嬉 ,  霍宗亮

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 揭露了一种包括一混合结构电荷捕获层的闪存器件及其相关制造方法。所述电荷捕获层包括至少一个混合捕获层，混合捕获层包括一由具有第一带隙能量的第一材料制成的第一捕获层，以及多个彼此分离的纳米点，每个纳米点至少部分的被所述第一捕获层包围，所述多个纳米点由具有第二带隙能量的第二材料形成，第二带隙能量低于所述第一带隙能量。