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公开(公告)号:CN102174246B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201110032822.4
申请日:2005-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0037 , B82Y30/00 , C08G61/126 , C08J2367/00 , C08L27/12 , C08L65/00 , C08L2201/50 , H01L51/0021 , H01L51/0541 , H01L51/4253 , H01L51/5088 , Y02E10/549 , C08L2666/02 , C08L2666/04
Abstract: 提供了带有氟化离子交换聚合物作为掺杂物的聚噻吩并噻吩的水分散体。提供了包括聚噻吩并噻吩和形成胶体的聚合酸的水分散体的组合物。由本发明组合物制成的膜可在有机电子器件包括电致发光器件中,例如在有机发光二极管(OLED)显示器中用作空穴注入层,在有机光电子器件例如有机光电装置中用作空穴提取层,并与例如薄膜场效应晶体管中的漏极、源极或栅极应用中的金属纳米导线或碳纳米管联用。
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公开(公告)号:CN102432843B
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201110214840.4
申请日:2005-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0037 , B82Y30/00 , C08G61/126 , C08J2367/00 , C08L27/12 , C08L65/00 , C08L2201/50 , H01L51/0021 , H01L51/0541 , H01L51/4253 , H01L51/5088 , Y02E10/549 , C08L2666/02 , C08L2666/04
Abstract: 带有氟化离子交换聚合物作为掺杂物的聚噻吩并噻吩的水分散体一种制备包括聚噻吩并噻吩的分散体的方法,该方法包括:(a)提供包括至少一种氧化剂和/或至少一种催化剂的水分散体;(b)提供包括至少一种形成胶体的全氟化聚合磺酸的水分散体;(c)将步骤(a)的水分散体与步骤(b)的水分散体合并;和(d)向步骤(c)的合并水分散体中加入噻吩并噻吩单体;和(e)形成聚噻吩并噻吩。由本发明组合物制成的膜可在有机电子器件包括电致发光器件中,例如在有机发光二极管(OLED)显示器中用作空穴注入层,在有机光电子器件例如有机光电装置中用作空穴提取层,并与例如薄膜场效应晶体管中的漏极、源极或栅极应用中的金属纳米导线或碳纳米管联用。
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公开(公告)号:CN101230128B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN200710159891.5
申请日:2005-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , C08G61/126 , C08J2365/00 , C08L2205/14 , H01B1/127 , Y10T428/249953
Abstract: 提供了一种用于制备包含至少一种导电聚合物和具有小于约450nm的粒度的颗粒的方法,该方法包括:(a)结合水、至少一种噻吩和至少一种聚阴离子,(b)加入至少一种氧化剂以形成反应混合物,(c)在搅拌该反应混合物的同时,在低于约50℃的温度聚合该反应混合物;和(d)回收分散体。
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