公开(公告)号：CN119581221A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411099707.2

申请日：2024-08-12

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李勇和 ,  李丞镛 ,  金珉洙 ,  朴相珍 ,  申真福

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/018 ,  H01G4/30 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供了一种介电组合物、多层电容器和多层电容器的制造方法。所述介电组合物包括：介电晶粒，包含钛酸钡基化合物；以及第二相，位于所述介电晶粒之间，并且所述第二相包括包含Ga和Si的第一第二相。所述多层电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述电容器主体的外部，其中，所述介电层包括上述介电组合物。

公开(公告)号：CN119650299A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202410201442.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金珉洙 ,  李丞镛 ,  李勇和 ,  朴相珍 ,  申眞福 ,  吴泳俊 ,  蔡现植 ,  李知炫

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 提供了一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括电容器主体和外电极，所述电容器主体包括介电层和内电极层，所述外电极设置在所述电容器主体的外部。所述介电层包括含有钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)，通过从所述介电层和所述内电极层之间的界面向所述介电层内到10nm至500nm的深度表面的区域的TEM‑EDS分析获得的Ba/Ga的峰值强度比(IBa/IGa)为1.0至5.0。

公开(公告)号：CN119905349A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410566439.4

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李丞镛 ,  李勇和 ,  金珉洙 ,  朴相珍 ,  全忠燮 ,  申眞福 ,  沈大振 ,  蔡现植 ,  金孝珍 ,  安重炫

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体的外表面上，其中，所述电容器主体包括交替设置所述介电层和所述内电极层的有效部、设置在所述有效部的彼此相对的两个侧端部处的侧边缘部以及分别设置在所述有效部和所述侧边缘部之间的结合部，并且所述有效部和所述侧边缘部中的至少一个包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)。

公开(公告)号：CN118073092A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202310876807.0

申请日：2023-07-17

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李丞镛 ,  徐东讚 ,  李勇和 ,  朴相珍 ,  申眞福

IPC: H01G4/06 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体外部，并且连接到所述内电极，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，并且所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒包括核‑壳结构，所述核‑壳结构包括核区域和覆盖所述核区域的至少一部分的壳区域，并且所述多个介电晶粒中的90％或更多的介电晶粒满足170.0nm至190.0nm的平均尺寸，并且相对于所述多个介电晶粒的平均尺寸，所述介电晶粒的尺寸的最大偏差满足±60.0nm。