多层电子组件
    1.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN119480446A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202410827089.2

    申请日:2024-06-25

    Inventor: 金东锡

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层、第一内电极层和第二内电极层,第一内电极层和第二内电极层在第一方向上交替地设置;第一外电极和第二外电极,分别设置在主体的在第二方向上的两个表面上。第一内电极层和第二内电极层各自包括连接到第一外电极的第一内电极和连接到第二外电极的第二内电极。第一内电极和第二内电极在第三方向上交替地设置,第一内电极层的第一内电极在第一方向上与第二内电极层的第二内电极交替地设置,并且第一内电极层的第二内电极在第一方向上与第二内电极层的第一内电极交替地设置。

    用于测量多层电容器的DC偏置老化特性的方法

    公开(公告)号:CN119438740A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202410622532.2

    申请日:2024-05-20

    Abstract: 本公开提供一种用于测量多层电容器的DC偏置老化特性的方法,所述方法包括:向所述多层电容器施加第一极化电压,所述多层电容器包括主体和外电极,所述主体具有包括多个介电晶粒的介电层和在第一方向上与所述介电层交替地设置的内电极,所述外电极设置在所述主体上;将所述第一极化电压保持第一时间段(t1);施加比所述第一极化电压低的DC偏置电压;将所述DC偏置电压保持第二时间段(t2);以及测量施加所述DC偏置电压之后的饱和电容。

    多层电子组件及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119480451A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411091104.8

    申请日:2024-08-09

    Inventor: 金东锡

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件及其制造方法,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层、第一内电极层和第二内电极层,所述第一内电极层和所述第二内电极层在第一方向上交替设置,所述介电层介于所述第一内电极层和所述第二内电极层之间;第一外电极,设置在所述主体上;以及第二外电极,设置在所述主体上并与所述第一外电极间隔开,其中,所述第一内电极层包括连接到所述第一外电极的第一内电极,并且所述第二内电极层包括连接到所述第二外电极的第二内电极,其中,当将所述第一内电极与最接近所述第一内电极的第二内电极之间的最短距离定义为a,并且将所述第一内电极在所述第一方向上的最大尺寸定义为te时,满足0.01≤(a/te)≤1.37。

    多层电容器和其上安装有多层电容器的板组件

    公开(公告)号:CN114974884A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202111622971.6

    申请日:2021-12-28

    Inventor: 李健镛 金东锡

    Abstract: 本公开提供一种多层电容器和其上安装有多层电容器的板组件。多层电容器包括:电容器主体,包括第一表面至第六表面,电容器主体包括介电层以及在第一方向上交替地设置的第一内电极和第二内电极;第一外电极和第二外电极。第一内电极和第二内电极设置为在第一方向上偏置。多个第一内电极和多个第二内电极中的第一部分设置为在第三方向上与第五表面邻近,多个第一内电极和多个第二内电极中的第二部分设置为在第三方向上与第六表面邻近,并且多个第一内电极和多个第二内电极中的第三部分设置在第三方向上的中央区域中。第一内电极和第二内电极中的设置为在相同方向上与相同表面邻近的内电极包括设置为偏置的两个或更多个的偶数个内电极。

    多层电容器和用于安装该多层电容器的板

    公开(公告)号:CN114639549A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202111222249.3

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 本公开提供一种多层电容器和用于安装该多层电容器的板。所述多层电容器包括:电容器主体,包括第一表面至第六表面并且包括多个介电层以及交替地设置的第一内电极和第二内电极,所述多个介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,其中,所述电容器主体包括有效区域,在所述有效区域中,所述第一内电极和所述第二内电极在第一方向上叠置,并且在所述电容器主体中的除了所述有效区域之外的边缘部的至少一部分具有小于1的Ba与Ti的摩尔比并且具有孪晶界结构。

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