公开(公告)号：CN100382348C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200610002963.0

申请日：2006-01-26

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李奎翰 ,  金制远 ,  金东俊

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及一种具有电子发射结构的氮化物半导体器件。在该器件中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，以及有源层形成在n型氮化物半导体层上。而且p型氮化物半导体层形成在有源层上。有源层形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层之间，并包括量子阱层和量子势垒层。此外，在n型氮化物半导体层和有源层之间形成有电子发射层。电子发射层包括：氮化物半导体量子点层，形成在n型氮化物半导体层上，并具有表示为AlxInyGa(1-x-y)N的组成，其中0≤x≤1，且0≤y≤1；以及谐振隧道层，形成在氮化物半导体量子点层上，并具有比相邻的量子点层的带隙大的带隙。

公开(公告)号：CN101051662A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710004902.2

申请日：2007-02-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 高健维 ,  吴邦元 ,  咸宪柱 ,  金制远 ,  朴亨镇 ,  黄硕珉 ,  金东佑

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。

公开(公告)号：CN101051662B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200710004902.2

申请日：2007-02-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 高健维 ,  吴邦元 ,  咸宪柱 ,  金制远 ,  朴亨镇 ,  黄硕珉 ,  金东佑

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。

公开(公告)号：CN101075656A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710097452.6

申请日：2007-04-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 高健维 ,  吴邦元 ,  黄硕珉 ,  金制远 ,  朴亨镇 ,  金东佑

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20

Abstract: 一种氮化物基半导体LED，包括：衬底；n－型氮化物半导体层，形成在衬底上；活性层，形成在n－型氮化物半导体层的预定区域上；p－型氮化物半导体层，形成在活性层上；p－电极，形成在p－型氮化物半导体层上，该p－电极具有p－型分支电极；p－型ESD衬垫，形成在p－型分支电极的端部处，该p－型ESD衬垫具有大于p－型分支电极的端部的宽度；n－电极，形成在其上未形成活性层的n－型氮化物半导体层上，该n－电极具有n－型分支电极；以及n－型ESD衬垫，形成在n－型分支电极的端部处，该n－型ESD衬垫具有大于n－型分支电极的端部的宽度。

公开(公告)号：CN100435368C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610076901.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  金制远 ,  朴英豪 ,  高健维 ,  金智烈 ,  朴正圭 ,  闵垘基

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的第一预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个第一区域，以形成多个第一凹槽；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的位于形成的第一凹槽之间的第二预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个第二区域，以形成多个第二凹槽；在第二凹槽表面上形成绝缘层；在p型氮化物半导体层上部和在凹槽表面上形成的绝缘层上，形成p型电极；以及在形成的第一凹槽上形成n型电极。

公开(公告)号：CN1858921A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200610076901.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  金制远 ,  朴英豪 ,  高健维 ,  金智烈 ,  朴正圭 ,  闵垘基

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个台面；蚀刻位于形成的台面之间的有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个凹槽；在凹槽表面上形成绝缘层；越过p型氮化物半导体层的上部和在凹槽表面上形成的绝缘层，形成p型电极；以及在形成的台面上形成n型电极。

公开(公告)号：CN1845347A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610002963.0

申请日：2006-01-26

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李奎翰 ,  金制远 ,  金东俊

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及一种具有电子发射结构的氮化物半导体器件。在该器件中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，以及有源层形成在n型氮化物半导体层上。而且p型氮化物半导体层形成在有源层上。有源层形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层之间，并包括量子阱层和量子势垒层。此外，在n型氮化物半导体层和有源层之间形成有电子发射层。电子发射层包括：氮化物半导体量子点层，形成在n型氮化物半导体层上，并具有表示为AlxInyGa(1－x－y)N的组成，其中0≤x≤1，且0≤y≤1；以及谐振隧道层，形成在氮化物半导体量子点层上，并具有比相邻的量子点层的带隙大的带隙。