芯片电子组件和制造芯片电子组件的方法

    公开(公告)号:CN104766693A

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201410136448.6

    申请日:2014-04-04

    Abstract: 公开了一种芯片电子组件和一种制造芯片电子组件的方法,所述芯片电子组件包括:磁性主体,包括绝缘基底;内部线圈部分,设置在绝缘基底的至少一个表面上;以及外部电极,设置在磁性主体的一个端表面上,并连接到内部线圈部分,其中,绝缘基底的厚度被限定为t1,内部线圈部分的厚度被限定为t2,t2/t1为1.0至1.8。所述芯片电子组件能够通过阻挡磁通量在线圈附近的流动以防止线圈附近发生磁化来改善随着电流的施加的电感L值的变化特性,并且能够通过充分地确保填充的磁性材料的体积来实现相对高的最大电感值。

    多层电容器、其制造方法及具有该多层电容器的板

    公开(公告)号:CN107622873B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201710565066.9

    申请日:2017-07-12

    Abstract: 本发明提供一种多层电容器、其制造方法及具有该多层电容器的板,所述多层电容器包括电容器主体以及第一过孔电极和第二过孔电极,所述电容器主体包括:介电层;交替地设置的第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极之间插设有所述介电层;及第一槽部和第二槽部,形成在所述电容器主体的彼此背对的第一表面和第二表面中并沿着堆叠所述介电层的第一方向延伸,并且分别接触所述第一内电极和所述第二内电极,所述第一过孔电极和第二过孔电极分别形成在所述第一槽部和所述第二槽部中,并且分别电连接至所述第一内电极和所述第二内电极。

    片式电子组件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106205969B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201510228124.X

    申请日:2015-05-06

    Abstract: 提供一种片式电子组件,该片式电子组件包括磁性主体,磁性主体具有嵌入其中的内线圈部,其中,磁性主体包括:中心部,设置在内线圈部的内侧并包括芯部;和外围部,设置在中心部的外侧,中心部和外围部具有不同的磁导率。

    多层电容器、其制造方法及具有该多层电容器的板

    公开(公告)号:CN107622873A

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201710565066.9

    申请日:2017-07-12

    Abstract: 本发明提供一种多层电容器、其制造方法及具有该多层电容器的板,所述多层电容器包括电容器主体以及第一过孔电极和第二过孔电极,所述电容器主体包括:介电层;交替地设置的第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极之间插设有所述介电层;及第一槽部和第二槽部,形成在所述电容器主体的彼此背对的第一表面和第二表面中并沿着堆叠所述介电层的第一方向延伸,并且分别接触所述第一内电极和所述第二内电极,所述第一过孔电极和第二过孔电极分别形成在所述第一槽部和所述第二槽部中,并且分别电连接至所述第一内电极和所述第二内电极。

    芯片电子组件和制造芯片电子组件的方法

    公开(公告)号:CN104766693B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201410136448.6

    申请日:2014-04-04

    Abstract: 公开了一种芯片电子组件和一种制造芯片电子组件的方法,所述芯片电子组件包括:磁性主体,包括绝缘基底;内部线圈部分,设置在绝缘基底的至少一个表面上;以及外部电极,设置在磁性主体的一个端表面上,并连接到内部线圈部分,其中,绝缘基底的厚度被限定为t1,内部线圈部分的厚度被限定为t2,t2/t1为1.0至1.8。所述芯片电子组件能够通过阻挡磁通量在线圈附近的流动以防止线圈附近发生磁化来改善随着电流的施加的电感L值的变化特性,并且能够通过充分地确保填充的磁性材料的体积来实现相对高的最大电感值。

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