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公开(公告)号：CN1221965A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN98102178.6
申请日：1998-05-27
Applicant: 三星电管株式会社
Abstract: 本发明涉及适用于阴极射线管的电子枪用阴极的,特别是以确保基体金属中所含还原性元素的后期扩散路径,顺利实现钡自由基的生成,从而实现在高电流密度负荷下的长寿命为目的。该电子枪用阴极以镍为主成分,至少含有一种还原性金属的基体金属和在其上面设置的主成分为镍的金属层,在该金属层上面设置了含有至少含有钡的碱土金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN1249773C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN99119664.3
申请日：1999-09-23
Applicant: 三星电管株式会社
Abstract: 本发明的一种电子枪用阴极的制造方法，包括以下步骤：(a)形成包括镍且至少含有一种还原性元素的基底金属；(b)对上述基底金属的上表面进行微粒子化和热处理来形成上部金属层；(c)在该上部金属层的上表面形成电子发射物质层，该电子发射物质层包含至少含有钡的碱土金属氧化物；上述步骤(b)包括以下步骤：通过研磨上述基底金属的上表面，在氢气介质里，700～1200℃范围内进行热处理，来形成上述上部金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1248781A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN99119358.X
申请日：1999-09-10
Applicant: 三星电管株式会社
Abstract: 本发明公开一种阴极射线管中使用的电子枪用阴极,由以镍为主要成分,至少含有一种还原性元素的基体金属;基体金属上部并具有凹凸部分的金属层;及形成在金属层的上部,其中含有至少包含钡在内的碱土金属氧化物的电子发射物质层构成。上述金属层是在基体金属的上部涂敷镍、钨、镍－锆、锆－钨或镍－钨中的一种,被敷镍、钨、镍－锆、锆－钨或镍－钨中的一种粉末而得到的,其形成颗粒的直径小于上述基体金属的平均颗粒直径。
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公开(公告)号：CN1141729C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN98102178.6
申请日：1998-05-27
Applicant: 三星电管株式会社
Abstract: 本发明涉及适用于阴极射线管的电子枪用阴极的，特别是以确保基体金属中所含还原性元素的后期扩散路径，顺利实现钡自由基的生成，从而实现在高电流密度负荷下的长寿命为目的。该电子枪用阴极以镍为主成分，至少含有一种还原性金属的基体金属和在其上面设置的主成分为镍的金属层，在该金属层上面设置了含有至少含有钡的碱土金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN1150589C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN99119358.X
申请日：1999-09-10
Applicant: 三星电管株式会社
Abstract: 本发明公开一种阴极射线管中使用的电子枪用阴极，由以镍为主要成分，至少含有一种还原性元素的基体金属；基体金属上部并具有凹凸部分的金属层；及形成在金属层的上部，其中含有至少包含钡在内的碱土金属氧化物的电子发射物质层构成。上述金属层是在基体金属的上部涂敷镍、钨、镍-锆、锆-钨或镍-钨中的一种，被敷镍、钨、镍-锆、锆-钨或镍-钨中的一种粉末而得到的，其形成颗粒的直径小于上述基体金属的平均颗粒直径。
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公开(公告)号：CN1221966A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN98102179.4
申请日：1998-05-27
Applicant: 三星电管株式会社
Abstract: 本发明以确保基体金属中所含还原剂的后期扩散路径,顺利实现钡自由基的生成,从而实现在高电流密度负荷下的长寿命为目的。在以镍为主成分,至少含有一种还原性金属的基体金属6上面,设置主成分为钨、锆－钨或钨－镍的金属层12,在该金属层上面设置含有至少含有钡的碱土金属氧化物层的电子放射物质层8。上述金属层是在基体金属之上涂布钨、锆－钨或钨－镍,将此进行热处理得到的,它是由比上述基体金属的平均粒径小的粒子组成的。
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公开(公告)号：CN1256504A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99119664.3
申请日：1999-09-23
Applicant: 三星电管株式会社
Abstract: 本发明是一种电子枪用阴极,其包括:以镍为主成分,至少含有一种还原性元素的基底金属;上述基底金属的上部表面进行再结晶处理,由微粒子形成的上部金属层;和其上部形成的包括至少含有钡的碱土金属氧化物的电子发射物质层,电子发射物质层中还含有La化合物和Mg化合物,或含有La－Mg复合化合物。它确保有助于游离钡原子生成的还原性元素的扩散路径,并防止游离钡原子的损失,能够在高电流密度下实现长寿命。
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