公开(公告)号：CN101794809A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010002358.X

申请日：2010-01-11

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴镇成 ,  牟然坤 ,  郑现中 ,  郑在景 ,  金民圭 ,  安泰琼

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L29/38

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L2251/305

Abstract: 本发明公开一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被堆叠的结构形成的有源层的驱动单元的薄膜晶体管、具有由所述第二氧化物半导体层形成的有源层的像素单元的薄膜晶体管、以及被连接至所述像素单元的薄膜晶体管的有机发光二极管。所述驱动单元的薄膜晶体管具有在所述第一氧化物半导体层上形成的沟道，以具有高电荷迁移率，其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层高的载流子浓度，并且所述像素单元的薄膜晶体管具有在所述第二氧化物半导体层上形成的沟道，以具有稳定和均匀的功能特性。

公开(公告)号：CN101621076A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910138568.9

申请日：2009-05-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金民圭 ,  郑棕翰 ,  安泰琼 ,  郑在景 ,  牟然坤 ,  朴镇成 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。

公开(公告)号：CN101621076B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910138568.9

申请日：2009-05-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金民圭 ,  郑棕翰 ,  安泰琼 ,  郑在景 ,  牟然坤 ,  朴镇成 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。

公开(公告)号：CN101656270A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910136929.6

申请日：2009-04-28

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑现中 ,  金民圭 ,  郑棕翰 ,  牟然坤

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管(TFT)包括栅极、有源层、源极和漏极。有源层包括与源极和漏极接触的接触区域，接触区域比有源层的剩余区域薄。接触区域减小有源层与源极和漏极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN101626036A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910133952.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 河载兴 ,  宋英宇 ,  李钟赫 ,  郑棕翰 ,  金民圭 ,  牟然坤 ,  郑在景 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元 ,  崔千基

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/22 ,  H01L23/52 ,  H01L29/227 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；形成在所述栅极上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的有源层；形成在所述有源层上包括化合物半导体氧化物的钝化层；以及与所述有源层接触的源极和漏极。