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公开(公告)号：CN101005000B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610064334.0
申请日：2006-10-31
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置、及使用该电子发射装置的电子发射显示器，包括：基板，形成于基板上的电子发射区域，形成于基板上用来控制电子发射区域的电子发射的驱动电极，布置在驱动电极上方并且和驱动电极绝缘的聚焦电极，聚焦电极具有电子束从其通过的开口。聚焦电极包括至少两个彼此电隔离的聚焦部件，并且聚焦部件在不同的方向上聚焦电子束。
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公开(公告)号：CN101005000A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610064334.0
申请日：2006-10-31
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子发射装置、及使用该电子发射装置的电子发射显示器，包括：基板，形成于基板上的电子发射区域，形成于基板上用来控制电子发射区域的电子发射的驱动电极，布置在驱动电极上方并且和驱动电极绝缘的聚焦电极，聚焦电极具有电子束从其通过的开口。聚焦电极包括至少两个彼此电隔离的聚焦部件，并且聚焦部件在不同的方向上聚焦电子束。
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公开(公告)号：CN100573796C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610071529.8
申请日：2006-03-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , H01J29/864 , H01J31/127 , H01J2203/0292 , H01J2329/4695 , H01J2329/8625
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其具有优化的内部结构，其中从电子发射区域发射的电子朝向荧光体层笔直地迁移。该电子发射装置包括彼此面对的第一和第二基板、以及形成在第一基板上的阴极电极。电子发射区域形成在阴极电极上。绝缘层和栅极电极形成在阴极电极上且具有暴露电子发射区域的开口。荧光体层形成在第二基板上。阳极电极形成在荧光体层的表面上。阴极和阳极电极之间的距离z满足下面的条件：0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va-Vc)/Vg)，其中Vc表示施加到阴极电极的电压，Vg是施加到栅极电极的电压，Va是施加到阳极电极的电压，d是阴极和栅极电极之间的距离。
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公开(公告)号：CN1841637A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071529.8
申请日：2006-03-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , H01J29/864 , H01J31/127 , H01J2203/0292 , H01J2329/4695 , H01J2329/8625
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其具有优化的内部结构，其中从电子发射区域发射的电子朝向荧光体层笔直地迁移。该电子发射装置包括彼此面对的第一和第二基板、以及形成在第一基板上的阴极电极。电子发射区域形成在阴极电极上。绝缘层和栅极电极形成在阴极电极上且具有暴露电子发射区域的开口。荧光体层形成在第二基板上。阳极电极形成在荧光体层的表面上。阴极和阳极电极之间的距离z满足下面的条件：0.7d((Va－Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va－Vc)/Vg)，其中Vc表示施加到阴极电极的电压，Vg是施加到栅极电极的电压，Va是施加到阳极电极的电压，d是阴极和栅极电极之间的距离。
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