公开(公告)号：CN101577276A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910132741.4

申请日：2009-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 矢岛学

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7808 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅型半导体装置。现有的保护二极管为由直径不同的多个pn结形成同心圆状的一个圆形，以与栅极焊盘电极大致相同的大小配置在其下方。作为提高MOSFET的ESD容量的方法，公知有增加构成保护二极管的pn结的总面积的方法，但在增加形成同心圆状的多个pn结的结面积的局部或全部时，存在保护二极管在芯片上的占有面积增加的问题。在该绝缘栅型半导体装置中，将多个保护二极管设为并联连接的保护二极管组，并将保护二极管组的总计结面积平均值设为能确保所希望的静电放电容量的值。通过使总计结面积平均值与现有结构的结面积平均值相等，能维持与现有技术相同的ESD容量，并可减少保护二极管组在芯片上的占有面积。

公开(公告)号：CN101577276B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910132741.4

申请日：2009-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 矢岛学

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7808 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅型半导体装置。现有的保护二极管为由直径不同的多个pn结形成同心圆状的一个圆形，以与栅极焊盘电极大致相同的大小配置在其下方。作为提高MOSFET的ESD容量的方法，公知有增加构成保护二极管的pn结的总面积的方法，但在增加形成同心圆状的多个pn结的结面积的局部或全部时，存在保护二极管在芯片上的占有面积增加的问题。在该绝缘栅型半导体装置中，将多个保护二极管设为并联连接的保护二极管组，并将保护二极管组的总计结面积平均值设为能确保所希望的静电放电容量的值。通过使总计结面积平均值与现有结构的结面积平均值相等，能维持与现有技术相同的ESD容量，并可减少保护二极管组在芯片上的占有面积。