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公开(公告)号：CN110945631B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201880048233.5
申请日：2018-07-24
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 尾家俊行 , 普林安加·柏达那·普特拉 , 堀田明伸
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08
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公开(公告)号：CN117015849A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280022680.X
申请日：2022-03-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
Abstract: 提供以高生产效率制造高性能的存储元件用半导体基板的方法。一种存储元件用半导体基板的制造方法，其包括：工序(1)，其使具有含钛膜、金属钨膜、和氧化钨膜的半导体基板与前处理剂接触，去除前述氧化钨膜的至少一部分，所述含钛膜包含钛和钛合金中的至少一者；工序(2)，其使工序(1)后的半导体基板与蚀刻剂接触，去除前述含钛膜的至少一部分，前述前处理剂包含选自由酸、氨、和铵盐组成的组中的至少1者的氧化钨腐蚀剂。
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公开(公告)号：CN107431014B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201680021359.4
申请日：2016-04-08
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C11D1/40 , C11D1/62 , C11D3/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于，提供在具有含有含碳硅氧化物(SiOC)的材料的晶圆的制造工序中用于去除晶圆表面上的SiOC的清洗液、及使用其的清洗方法。本发明的清洗液的特征在于，包含氟化合物2质量％～30质量％、属于铵盐或胺的特定阳离子性表面活性剂0.0001质量％～20质量％及水，并且pH值为0～4。
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公开(公告)号：CN107148664B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201580057475.7
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/02 , C11D7/38 , C11D17/08
Abstract: 根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜(Low‑k膜)、以及选自包含10原子％以上的钛的材料和包含10原子％以上的钨的材料中的1种以上，所述清洗液包含选自由过氧化物、高氯酸和高氯酸盐组成的组中的1种以上的氧化剂0.002～50质量％、碱土金属化合物0.000001～5质量％和水。
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公开(公告)号：CN118715596A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380021729.4
申请日：2023-02-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 尾家俊行
IPC: H01L21/308 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供能够抑制对氧化硅的损伤且同时选择性地去除硅的组合物等。一种组合物，其包含：季铵化合物；以及阳离子性表面活性剂，所述阳离子性表面活性剂选自由含芳基的阳离子性表面活性剂及含杂芳基的阳离子性表面活性剂组成的组中的至少1种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116806366A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202280013747.3
申请日：2022-02-04
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 提供一种具有Ti/W蚀刻选择性，且氧化钨的去除速度大的半导体基板清洗用组合物。一种半导体基板清洗用组合物，其包含(A)氧化剂、(B)氟化合物、(C)金属钨防腐剂和(D)氧化钨蚀刻加速剂，相对于前述半导体基板清洗用组合物的总质量，前述(A)氧化剂的添加率为0.0001～10质量％，相对于前述半导体基板清洗用组合物的总质量，前述(B)氟化合物的添加率为0.005～10质量％，相对于前述半导体基板清洗用组合物的总质量，前述(C)金属钨防腐剂的添加率为0.0001～5质量％。
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公开(公告)号：CN111699547A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012078.6
申请日：2019-02-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 尾家俊行 , 普林安加·柏达那·普特拉 , 堀田明伸
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明涉及氧化铝保护液、氧化铝的保护方法和使用了其的具有氧化铝层的半导体基板的制造方法。本发明的氧化铝保护液的特征在于，其含有0.0001～20质量％的碱土金属化合物，前述碱土金属为选自由铍、镁、锶和钡组成的组中的1种以上。通过本发明，在半导体电路的制造工序中，能够抑制氧化铝的腐蚀。
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公开(公告)号：CN107078044B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201580056809.9
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 根据本发明，提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗液，所述半导体元件具有：(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料、和低介电常数层间绝缘膜，所述清洗液包含碱金属化合物0.001～7质量％、过氧化物0.005～35质量％、防腐剂0.005～10质量％、碱土金属化合物0.000001～1质量％和水。
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公开(公告)号：CN107431014A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680021359.4
申请日：2016-04-08
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C11D1/40 , C11D1/62 , C11D3/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于，提供在具有含有含碳硅氧化物(SiOC)的材料的晶圆的制造工序中用于去除晶圆表面上的SiOC的清洗液、及使用其的清洗方法。本发明的清洗液的特征在于，包含氟化合物2质量％～30质量％、属于铵盐或胺的特定阳离子性表面活性剂0.0001质量％～20质量％及水，并且pH值为0～4。
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公开(公告)号：CN107078043A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056375.2
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/04 , C11D7/38 , C11D17/08 , G03F7/42
Abstract: 根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面的光致抗蚀剂和干蚀刻残渣的清洗方法，其特征在于，所述半导体元件具有Low‑k膜和包含10原子％以上的钽的材料，所述清洗方法使用包含过氧化氢0.002～50质量％、碱土金属化合物0.001～1质量％、碱和水的清洗液。
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