-
公开(公告)号：CN1886643B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200480035140.7
申请日：2004-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N1/28
CPC classification number: G01N1/4055 , G01N33/442 , G01N2001/4061 , G01N2030/009 , Y10T436/24
Abstract: 本发明提供迅速地分析材料中的微量含有物的方法，该方法在制备用于分析材料中的微量含有物的试样时，不进行长时间的提取处理，而是通过1次短时间的提取处理来进行。本发明的微量含有物的分析方法包括以下的工序：在试样台上载置被分析材料的试样片的工序、在试样台上滴加从试样片提取含有物的溶剂，在试样台和载置在试样台上的试样片的间隙中注入溶剂的工序、在室温保持注入在试样台和试样片的间隙中的溶剂，利用保持在试样台和试样片的间隙中的溶剂从试样片提取含有物的工序、以及分析从试样片提取的含有物的工序。
-
公开(公告)号：CN105324850B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480035248.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法，其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。
-
公开(公告)号：CN105324850A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035248.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法，其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。
-
公开(公告)号：CN1886643A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480035140.7
申请日：2004-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N1/28
CPC classification number: G01N1/4055 , G01N33/442 , G01N2001/4061 , G01N2030/009 , Y10T436/24
Abstract: 本发明提供迅速地分析材料中的微量含有物的方法，该方法在制备用于分析材料中的微量含有物的试样时，不进行长时间的提取处理，而是通过1次短时间的提取处理来进行。本发明的微量含有物的分析方法包括以下的工序：在试样台上载置被分析材料的试样片的工序、在试样台上滴加从试样片提取含有物的溶剂，在试样台和载置在试样台上的试样片的间隙中注入溶剂的工序、在室温保持注入在试样台和试样片的间隙中的溶剂，利用保持在试样台和试样片的间隙中的溶剂从试样片提取含有物的工序、以及分析从试样片提取的含有物的工序。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.031 seconds)
