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公开(公告)号:CN1327251A
公开(公告)日:2001-12-19
申请号:CN01101310.9
申请日:2001-01-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明可抑制在电子管阴极中因大电流密度化引起的截止电压的变动,抑制辉度的变化。电子管阴极在以镍作为主成分并且包含至少一种还原剂的基体上,形成以钨为主成分且厚度为80μm以下和孔隙率为20-70%的多孔性金属层,并且在其上配置以至少包含钡的碱土类金属氧化物作为主成分的电子发射材料层。
公开(公告)号:CN1327251A
公开(公告)日:2001-12-19
申请号:CN01101310.9
申请日:2001-01-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明可抑制在电子管阴极中因大电流密度化引起的截止电压的变动,抑制辉度的变化。电子管阴极在以镍作为主成分并且包含至少一种还原剂的基体上,形成以钨为主成分且厚度为80μm以下和孔隙率为20-70%的多孔性金属层,并且在其上配置以至少包含钡的碱土类金属氧化物作为主成分的电子发射材料层。