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公开(公告)号：CN1543026A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN101488641A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910002454.1
申请日：2009-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/028
Abstract: 本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第二绝缘膜的光学膜厚为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第二绝缘膜的折射率为2～2.3，第一绝缘膜的膜厚为10nm以下，第一绝缘膜为化学计量成分的氧化膜。
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公开(公告)号：CN1303732C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410031302.1
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101257187A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810081373.0
申请日：2008-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种即使用于构成在半导体激光器端面上形成的反射膜的电介质膜的膜厚和折射率发生变动也能够稳定地控制反射率的半导体激光装置。半导体激光装置具备折射率小于等于3.5的GaN基板(1)和层叠在基板(1)上的半导体层，同时，在与层叠方向垂直的方向上具有一对相向的共振器端面。一个共振器端面上设置有低反射膜(6)，低反射膜(6)由第1电介质膜(8)、第2电介质膜(9)、第3电介质膜(10)和第4电介质膜(11)构成。如果将它们的折射率表示为n1、n2、n3、n4，则其满足n1＝n3、n2＝n4的关系。另外，在第1电介质膜(8)及第3电介质膜(10)、第2电介质膜(9)及第4电介质膜(11)之间，nd+n’d’＝pλ/4(p：整数，λ：激光的振荡波长)的关系成立。
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公开(公告)号：CN1819378A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN101257187B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810081373.0
申请日：2008-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种即使用于构成在半导体激光器端面上形成的反射膜的电介质膜的膜厚和折射率发生变动也能够稳定地控制反射率的半导体激光装置。半导体激光装置具备折射率小于等于3.5的GaN基板(1)和层叠在基板(1)上的半导体层，同时，在与层叠方向垂直的方向上具有一对相向的共振器端面。一个共振器端面上设置有低反射膜(6)，低反射膜(6)由第1电介质膜(8)、第2电介质膜(9)、第3电介质膜(10)和第4电介质膜(11)构成。如果将它们的折射率表示为n1、n2、n3、n4，则其满足n1＝n3、n2＝n4的关系。另外，在第1电介质膜(8)及第3电介质膜(10)、第2电介质膜(9)及第4电介质膜(11)之间，nd+n’d’＝pλ/4(p：整数，λ：激光的振荡波长)的关系成立。
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公开(公告)号：CN100411262C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610055079.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0287
Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1767284A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510118823.5
申请日：2005-10-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/10
Abstract: 本发明提供特性偏差小且高斜度效率的法布里－珀罗型激光二极管或可抑制回程光噪声的分布反馈型激光二极管等的半导体激光器。至少在一个激光出射面形成电介质膜的半导体激光器中，作为电介质膜，采用使出射面上的反射率的波长依存性在激光器的振荡波长附近成为极大或极小，且激光器的振荡波长在出射面的反射率设定为10％以上、25％以下的多种电介质的层叠膜。
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