公开(公告)号：CN110494600B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201780089179.4

申请日：2017-04-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨野健一 ,  大野彰仁 ,  沟部卓真 ,  木村泰广 ,  三谷阳一郎

IPC: C30B29/36

Abstract: SiC衬底(1)具有偏角θ(°)。在SiC衬底(1)之上形成有膜厚Tm(μm)的SiC外延层(2)。在SiC外延层(2)的表面形成有三角缺陷(3)。将三角缺陷(3)中的向着衬底偏角方向的长度大于或等于Tm/Tanθ×0.9的三角缺陷的密度设为A，向着衬底偏角方向的长度比Tm/Tanθ×0.9短的三角缺陷的密度设为B，满足B/A≤0.5。

公开(公告)号：CN110494600A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201780089179.4

申请日：2017-04-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨野健一 ,  大野彰仁 ,  沟部卓真 ,  木村泰广 ,  三谷阳一郎

IPC: C30B29/36

Abstract: SiC衬底(1)具有偏角θ(°)。在SiC衬底(1)之上形成有膜厚Tm(μm)的SiC外延层(2)。在SiC外延层(2)的表面形成有三角缺陷(3)。将三角缺陷(3)中的向着衬底偏角方向的长度大于或等于Tm/Tanθ×0.9的三角缺陷的密度设为A，向着衬底偏角方向的长度比Tm/Tanθ×0.9短的三角缺陷的密度设为B，满足B/A≤0.5。

公开(公告)号：CN113964016B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202110805979.X

申请日：2021-07-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 酒井雅 ,  沟部卓真 ,  中村卓誉

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20

Abstract: 提供适于抑制三角缺陷的产生的碳化硅外延晶片的制造方法。碳化硅外延晶片的制造方法具有：蚀刻工序，使用包含H2的蚀刻气体而在第一温度下对碳化硅基板的表面进行蚀刻；平坦化处理工序，使用包含H2气、第一Si供给气体和第一C供给气体的气体在第二温度下使在蚀刻工序中被蚀刻的表面平坦化；以及外延层生长工序，在通过平坦化处理工序而被平坦化的表面之上，使用包含第二Si供给气体和第二C供给气体的气体在第三温度下进行外延生长，第一温度T1、第二温度T2、第三温度T3满足T1>T2>T3。

公开(公告)号：CN109996908B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201680091075.2

申请日：2016-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨野健一 ,  大野彰仁 ,  沟部卓真 ,  酒井雅 ,  木村泰广 ,  三谷阳一郎 ,  金泽孝

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体晶片具备：碳化硅衬底，其在厚度方向具有均匀的第一载流子浓度；载流子浓度过渡层，其设置于所述碳化硅衬底之上；以及外延层，其设置于所述载流子浓度过渡层之上，在厚度方向具有均匀的第二载流子浓度，所述第二载流子浓度比所述第一载流子浓度低。所述载流子浓度过渡层的载流子浓度在厚度方向具有浓度梯度。所述浓度梯度为如下梯度，即，从所述载流子浓度过渡层的正下方的层与所述载流子浓度过渡层的界面起，膜厚度越增加，载流子浓度越降低，并且所述载流子浓度过渡层的所述膜厚度越增加，载流子浓度越以小的降低率降低。所述载流子浓度过渡层的所述载流子浓度具有落在由第一浓度梯度条件及第二浓度梯度条件夹着的预先确定的浓度范围内的所述浓度梯度。

公开(公告)号：CN109996908A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201680091075.2

申请日：2016-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨野健一 ,  大野彰仁 ,  沟部卓真 ,  酒井雅 ,  木村泰广 ,  三谷阳一郎 ,  金泽孝

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体晶片具备：碳化硅衬底，其在厚度方向具有均匀的第一载流子浓度；载流子浓度过渡层，其设置于所述碳化硅衬底之上；以及外延层，其设置于所述载流子浓度过渡层之上，在厚度方向具有均匀的第二载流子浓度，所述第二载流子浓度比所述第一载流子浓度低。所述载流子浓度过渡层的载流子浓度在厚度方向具有浓度梯度。所述浓度梯度为如下梯度，即，从所述载流子浓度过渡层的正下方的层与所述载流子浓度过渡层的界面起，膜厚度越增加，载流子浓度越降低，并且所述载流子浓度过渡层的所述膜厚度越增加，载流子浓度越以小的降低率降低。所述载流子浓度过渡层的所述载流子浓度具有落在由第一浓度梯度条件及第二浓度梯度条件夹着的预先确定的浓度范围内的所述浓度梯度。

公开(公告)号：CN113964016A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110805979.X

申请日：2021-07-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 酒井雅 ,  沟部卓真 ,  中村卓誉

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20

Abstract: 提供适于抑制三角缺陷的产生的碳化硅外延晶片的制造方法。碳化硅外延晶片的制造方法具有：蚀刻工序，使用包含H2的蚀刻气体而在第一温度下对碳化硅基板的表面进行蚀刻；平坦化处理工序，使用包含H2气、第一Si供给气体和第一C供给气体的气体在第二温度下使在蚀刻工序中被蚀刻的表面平坦化；以及外延层生长工序，在通过平坦化处理工序而被平坦化的表面之上，使用包含第二Si供给气体和第二C供给气体的气体在第三温度下进行外延生长，第一温度T1、第二温度T2、第三温度T3满足T1>T2>T3。

公开(公告)号：CN106435722B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201610638775.0

申请日：2016-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  酒井雅 ,  三谷阳一郎 ,  山本高裕 ,  木村泰广 ,  沟部卓真 ,  富田信之

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/14

Abstract: 得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。

公开(公告)号：CN106435722A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610638775.0

申请日：2016-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  酒井雅 ,  三谷阳一郎 ,  山本高裕 ,  木村泰广 ,  沟部卓真 ,  富田信之

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/14

Abstract: 得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除