公开(公告)号：CN1227746C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN01816135.9

申请日：2001-07-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  石桥清志 ,  西上武文

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/306 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0109 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

Abstract: 本发明涉及采用半导体加工技术形成薄膜结构体的制造方法，其目的是，提供一种能够减小热收缩时腐蚀膜与基板之间所产生的应力差的薄膜结构体的制造方法。为实现上述目的，在该薄膜结构体的制造方法中，形成于基板(1)上的腐蚀膜(51)由磷浓度设定为大于3mol%而小于4mol%的值的PSG膜形成。对于腐蚀膜(51)，在其上形成薄膜层(53)，在使该薄膜层(53)形成图案之后，通过腐蚀处理将其除去。

公开(公告)号：CN1462482A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN01816135.9

申请日：2001-07-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  石桥清志 ,  西上武文

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/306 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0109 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

Abstract: 本发明涉及采用半导体加工技术形成薄膜结构体的制造方法，其目的是，提供一种能够减小热收缩时腐蚀膜与基板之间所产生的应力差的薄膜结构体的制造方法。为实现上述目的，在该薄膜结构体的制造方法中，形成于基板(1)上的腐蚀膜(51)由磷浓度设定为大于3mol％而小于4mol％的值的PSG膜形成。对于腐蚀膜(51)，在其上形成薄膜层(53)，在使该薄膜层(53)形成图案之后，通过腐蚀处理将其除去。