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公开(公告)号：CN103298970A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280003192.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , H01B1/02 , H01L51/5218
Abstract: 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，本发明的溅射靶的一种形态具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，并且合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形态为在具有所述成分组成的熔炼铸锭上依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103958727B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280058004.4
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414 , H01B1/02 , H01L51/5218 , H05B33/26
Abstract: 本发明的溅射靶的一种形式具有含0.1～1.5质量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于120μm，所述晶粒的粒径偏差在平均粒径的20％以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形式对具有所述成分组成的熔炼铸锭依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每一道次的轧制率为20～50％、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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公开(公告)号：CN103958727A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058004.4
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414 , H01B1/02 , H01L51/5218 , H05B33/26
Abstract: 本发明的溅射靶的一种形式具有含0.1～1.5质量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于120μm，所述晶粒的粒径偏差在平均粒径的20％以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形式对具有所述成分组成的熔炼铸锭依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每一道次的轧制率为20～50％、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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公开(公告)号：CN104995329B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480004353.7
申请日：2014-03-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22F1/14 , H01L51/0021
Abstract: 一种银合金溅射靶，具有如下成分组成：包含合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下，该银合金溅射靶通过对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧、热处理、机械加工工序而制造。
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公开(公告)号：CN104995329A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480004353.7
申请日：2014-03-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22F1/14 , H01L51/0021
Abstract: 一种银合金溅射靶，具有如下成分组成：包含合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下，该银合金溅射靶通过对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧、热处理、机械加工工序而制造。
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公开(公告)号：CN103298970B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201280003192.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , H01B1/02 , H01L51/5218
Abstract: 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，本发明的溅射靶的一种形态具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，并且合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形态为在具有所述成分组成的熔炼铸锭上依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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