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公开(公告)号：CN112585721B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980053577.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , B05D1/38 , B05D3/00 , G03F7/11 , G03F7/38
Abstract: 本发明的对处理对象基片进行处理的基片处理方法，包括如下所述的工序：在形成于上述处理对象基片的基片表面的基底膜上涂敷用于形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液之前，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性高的情况下，进行使上述基底膜的极性降低的处理，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性低的情况下，进行使上述基底膜的极性升高的处理。
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公开(公告)号：CN116075683B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202180054058.2
申请日：2021-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G01B11/00
Abstract: 本公开说明能够高精确地处理被膜的周缘部分的周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质。周缘处理装置包括：拍摄部，构成为拍摄基片的周缘部，取得拍摄图像，基片包括基准基片和处理基片；第一计算部，以基准基片的中心为基准，计算基准基片的拍摄图像中的基准基片的理论上的周缘位置；第二计算部，基于基准基片的理论上的周缘位置和处理基片的拍摄图像，计算处理基片的拍摄图像中的处理基片的理论上的周缘位置；设定部，基于处理基片的理论上的周缘位置，设定基片的周缘部的处理参数；和处理部，基于处理参数，处理基片的周缘部。
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公开(公告)号：CN117747482A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311171770.8
申请日：2023-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , G05B19/408
Abstract: 本公开提供一种蚀刻控制装置、蚀刻控制方法以及蚀刻控制系统，能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布。蚀刻控制装置具有：更新部，其更新表示工艺参数与基板的面内的蚀刻量的分布之间的关系的模型的参数以使模型最优化，所述工艺参数是用于控制用于对基板进行蚀刻的多个喷嘴的动作的参数；计算部，其使用由更新部更新参数后的模型，来计算与所指定的蚀刻量的分布对应的工艺参数；以及动作控制部，其使用工艺参数来控制多个喷嘴的动作。
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公开(公告)号：CN108028177B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201680053566.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 防止在基板的周端部形成异常的抗蚀图案。本发明的基板处理方法包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所述下层膜的整个表面形成抗蚀膜。因而，在该基板的周端部，抑制曝光时对抗蚀膜的表面的聚焦偏移。作为其结果，能够抑制在该周端部形成异常的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN114127903A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080050730.6
申请日：2020-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供对基片进行处理的基片处理装置，其包括：对基片进行热处理的热处理部；拍摄基片的拍摄部；和控制部，所述控制部构成为执行用于调节对基片的处理的条件的调节处理，所述调节处理包括：曝光前拍摄步骤，控制所述拍摄部，拍摄形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片；热处理步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，控制所述热处理部，对进行了以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理的所述调节用基片，进行所述热处理；加热后拍摄步骤，在所述热处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理的处理条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112584938A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054676.X
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，该基板处理方法是针对被涂布有抗蚀层下方的膜用的含金属的液体的基板的处理方法，所述基板处理方法在对被涂布有所述含金属的液体的基板进行加热处理的加热处理工序(S05)之前包括以下工序：脱保护促进工序(S02)，促进被涂布有含金属的液体的基板所包含的膜用的材料中的官能团的脱保护；溶剂去除工序(S03)，去除基板的含金属的液体中包含的溶剂；以及吸湿工序(S04)，使基板的表面与水分接触。
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公开(公告)号：CN118011737A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410235210.2
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
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公开(公告)号：CN111226303B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880067475.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/26
Abstract: 本发明提供一种在使用含金属抗蚀剂膜来形成掩模图案时，抑制金属成分在图案底部残留的技术。预先在抗蚀剂膜(104)的下层形成可显影的防反射膜(103)。进而，在对晶片(W)进行了曝光、显影处理之后，对晶片(W)供给TMAH，去除与抗蚀剂膜(104)的凹部图案(110)的底部相对的防反射膜(103)的表面。因此，能够抑制金属成分(105)残留在凹部图案(110)的底部。因此，在接着使用抗蚀剂膜(104)的图案来对SiO2膜制电桥等缺陷。(102)进行蚀刻时，蚀刻不会被阻碍，所以能够抑
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公开(公告)号：CN116403926A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211699040.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 榎本正志
IPC: H01L21/66 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种基板分析系统、基板分析方法以及存储介质，能够高效地分析关于基板处理的处理状态。分析装置(10)具备：摄像单元(11)，其拍摄基板表面；缺陷范围估计部(131)，其基于摄像单元(11)的摄像结果来估计在基板表面产生了缺陷的范围即缺陷范围；灰度值获取部(132)，其获取对基板表面照射了光时的缺陷范围中的灰度值；以及缺陷种类判别部(133)，其基于灰度值来判别缺陷范围中的缺陷种类。
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公开(公告)号：CN115468909A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210617189.3
申请日：2022-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片检查装置、基片检查方法和存储介质，其能够抑制启动时的劳力和时间的增加，并且高精度地进行基于基片的拍摄图像的缺陷。基片检查装置包括：定义与基片的基础状态对应的组，对各基片设定组的设定部；基于基片的拍摄图像和与基片所属的组对应的检查方案检查缺陷的检查部；对各组创建检查方案的方案创建部；和判断基片是否属于已定义的组的判断部，判断部基于对基片与已定义的组的基片的处理是否一致、和根据基片的拍摄图像推断的基础状态与已定义的组的基片是否一致来判断，判断为属于已定义的组时，对基片设定相应的组，判断为不属于已定义的组时，对基片设定新的组，方案创建部基于基片的拍摄图像，创建与新的组对应的检查方案。
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