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公开(公告)号：CN108630529B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201810207953.3
申请日：2018-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明在以旋转式在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理装置中，防止涂敷液被设置于杯体内的气流控制板弹返而飞散到晶片的表面上。抗蚀剂涂敷装置包括收纳旋转卡盘(121)并从底部排气的杯体，该杯体包括：与保持于旋转卡盘(121)的晶片(W)相比位于顶部侧，包围该晶片(W)的外周的气流控制部(151)；和支承气流控制部的支承部(153)，该支承部其一个端部与杯体(125)的内周面连接，另一个端部与上述一个端部相比位于顶部侧并且与气流控制部连接，在上述支承部形成有在与晶片的旋转轴垂直的方向上穿透的形状的第1孔(153a)，在比该第1孔靠外侧下方的位置形成有在晶片的旋转轴方向上穿透的形状的第2孔(153b)。
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公开(公告)号：CN105810558A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510919402.6
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转，同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R)，使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动，在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后，以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转，由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。
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公开(公告)号：CN105810558B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201510919402.6
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转，同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R)，使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动，在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后，以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转，由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。
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公开(公告)号：CN110534454A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910422709.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明对能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，在该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。
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公开(公告)号：CN105702604B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201510919166.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法，向晶片上供给涂敷液的溶剂，在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜，使晶片以第一转速旋转，同时向晶片的中心部供给涂敷液(时间t1～t2)，使晶片以比第一转速快的第二转速旋转，使涂敷液在基板上扩散(时间t4～t5)。直至涂敷液与溶剂的液膜接触前持续进行溶剂的供给(时间t0～t3)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102346375A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110206174.X
申请日：2011-07-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种涂敷处理方法和涂敷处理装置，在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。具体而言，给旋转中的晶片上供给溶剂，使晶片以第六转速旋转使溶剂扩散(工序S1)。使晶片的旋转加速到第一转速，使晶片以第一转速旋转(工序S2)。使晶片的旋转减速到第二转速，使晶片W以第二转速旋转(工序S3)。使晶片的旋转进一步加速到第三转速，使晶片以第三转速旋转(工序S4)。使晶片的旋转减速到第四转速超过0rpm并在500rpm以下，使晶片以第四转速旋转1～10秒(工序S5)。使晶片的旋转加速到第五转速，使晶片以第五转速旋转(工序S6)。在从工序S2到工序S3的途中，或者工序S2中对晶片的中心连续供给抗蚀剂液。
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公开(公告)号：CN108695209B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810293097.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制伴随含金属覆膜的利用而产生的金属污染的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。涂布/显影装置具备第一保护处理部、成膜部、第一清洗处理部以及控制部。控制部构成为执行以下控制：控制第一保护处理部，使之在晶圆的周缘部形成第一保护膜；控制成膜部，使之在晶圆的表面形成抗蚀膜；控制第一清洗处理部，使之向晶圆的周缘部供给用于去除抗蚀膜的第一清洗液；控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除金属成分的第二清洗液；以及控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除第一保护膜的第三清洗液。
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公开(公告)号：CN114509925A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111325339.5
申请日：2021-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够容易且简单地测量基片的处理中使用的处理液的释放量的基片处理系统、液量测量方法和计算机可读存储介质。基片处理系统包括：相对于载置台的载置部可拆装的测量单元；用于处理液的测量的测量治具；包含供给部的液处理单元，该供给部构成为能够对测量治具供给处理液；输送机构，其构成为能够在测量单元与液处理单元之间输送测量治具；和控制部。控制部执行以下处理：将测量单元内的测量治具从测量单元输送到液处理单元的处理；从供给部向测量治具释放处理液的处理；将测量治具从液处理单元输送到测量单元的处理；和基于测量单元中的测量值计算处理液的释放量的处理。
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公开(公告)号：CN114141654A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110980802.3
申请日：2021-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供能够对基片的背面的除了周端以外的环状区域供给处理液以进行局部处理的液处理方法和液处理装置。液处理方法包括：将基片的背面的中心部载置在载置台上，并使该载置台旋转的工序；和从喷嘴对旋转的基片的背面的比周端靠中心的位置供给雾状的处理液，并且使该处理液挥发使得该处理液不会因离心力而被供给到该基片的周端，从而对该基片的背面的环状区域局部地进行处理的工序。
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公开(公告)号：CN110088880A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078574.2
申请日：2017-11-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , B05C11/08 , B05D1/36 , B05D1/40 , B05D3/00
Abstract: 一种在基片上涂敷涂敷液的方法，其中，在形成于基片上的涂敷液的液膜干燥之前，一边使该基片以规定的转速旋转，一边对基片上的涂敷液的该液膜上的周边部供给涂敷液的溶剂，以在该周边部形成涂敷液与溶剂的混合层，然后，使基片以比规定的转速快的转速旋转，将混合层赶到外周侧，来控制干燥后的涂敷液的膜厚。
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