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公开(公告)号：JPWO2015190427A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016527790
申请日：2015-06-08
Applicant: 並木精密宝石株式会社
Abstract: 結合境界が無く使用可能エリアの制限が無い、対角線の長さが50.8mm以上か、直径が2インチ以上のダイヤモンド基板とその製造方法を提供する。ダイヤモンド単結晶から成る単数又は複数の下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板をダイヤモンド単結晶から形成し、ダイヤモンド基板の平面方向の形状を、方形状、円形状、又はオリフラ面が設けられた円形状とし、方形状の場合は対角線の長さを50.8mm以上とし、円形状の場合は直径を2インチ以上とする。
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公开(公告)号：JPWO2015119067A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015560966
申请日：2015-02-02
Applicant: 並木精密宝石株式会社
IPC: C30B29/04 , C23C14/06 , C23C14/28 , C23C16/27 , C23C16/511
CPC classification number: C30B25/183 , C23C16/274 , C23C16/279 , C30B23/025 , C30B25/105 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B29/605 , H01L21/02527 , H01L21/02609 , H01L21/7806 , H01L29/045 , H01L29/1602 , H01L29/34
Abstract: 【課題】結晶成長時に応力を解放することで、ダイヤモンド基板へのクラック発生を防止し、ダイヤモンド基板内部の結晶面の曲率を、0km-1を超えて1500km-1以下に低減可能である、ダイヤモンド基板及び製造方法を提供する。【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板の内部の結晶面の曲率を0km-1を超えて1500km-1以下とする。【選択図】図11
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公开(公告)号：JPWO2015046294A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015539292
申请日：2014-09-25
Applicant: 並木精密宝石株式会社
IPC: C30B29/04
CPC classification number: C30B25/18 , C23C16/01 , C23C16/274 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B33/02
Abstract: 【課題】直径2インチ以上の大型のダイヤモンド基板を提供する。また、直径2インチ以上という大型のダイヤモンド基板の製造を可能にする、ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板をダイヤモンド単結晶から形成し、ダイヤモンド基板の平面方向の形状を円形状又はオリフラ面が設けられた円形状とし、直径を2インチ以上とする。【選択図】図4
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公开(公告)号：JPWO2014123171A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2014560791
申请日：2014-02-06
Applicant: 並木精密宝石株式会社 , 株式会社ディスコ
Inventor： 英雄 会田 , 英雄 会田 , 奈津子 青田 , 奈津子 青田 , 憲次朗 池尻 , 憲次朗 池尻 , 聖祐 金 , 聖祐 金 , 浩司 小山 , 浩司 小山 , 秀俊 武田 , 秀俊 武田 , 篤 植木 , 篤 植木
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/406 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 【課題】転位密度の分布が実質的に均一なGaN結晶から成るGaN基板を、複雑な工程を用いることなく簡単に低コストで、且つ高歩留まりで製造できる技術を提供する。【解決手段】単結晶基板の内部にレーザを照射して、単結晶基板の内部にアモルファス部分を形成し、次に、単結晶基板の片面にGaN結晶を形成してGaN基板を作製する。作製されたGaN基板の表面の全面に亘る転位密度の分布は、実質的に均一である。アモルファス部分は単結晶基板の平面方向に対して直線状の複数のパターンで設けられ、各パターン間のピッチが0.5mmの場合は、単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比は0.10%又は0.20%であり、各パターン間のピッチが1.0mmの場合は、単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比は0.05%又は0.10%である。【選択図】図3
Abstract translation: 甲GaN衬底位错密度的分布从基本上均质的GaN结晶进行，以简单的低成本，而无需使用复杂的过程，并提供一种能够以高收率制造的技术。 通过照射激光到单晶衬底的内部的，单结晶基板的内部，以形成无定形部分，然后，通过形成在单晶衬底的一个表面的GaN晶体，以制备GaN衬底。 位错密度在所制造的GaN衬底表面的整个表面的分布基本上是均匀的。 在多个图案提供直接到单晶衬底的面方向，体积非晶部分如果图案之间的间距为0.5毫米，由无定形部分的总体积相对于占用到单晶衬底的体积 比为0.10％，或0.20％，如果图案之间的间距为1.0毫米，由无定形部分的总体积相对于所述单晶基板的体积所占的体积比为0.05％或0.10％。 点域
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公开(公告)号：JPWO2013172227A1
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014515578
申请日：2013-05-08
Applicant: 並木精密宝石株式会社
CPC classification number: C01G15/00 , C30B15/20 , C30B15/34 , C30B29/16 , Y10T428/2982
Abstract: 【課題】発光効率を向上させることができる酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板を提供する。【解決手段】酸化ガリウム単結晶13は、転位密度が3.5?106個/cm2以下である。酸化ガリウム単結晶13は、EFG法によって製造されている。また、EFG法のシードタッチ温度は1930℃以上1950℃以下である。酸化ガリウム単結晶13のネック部13aは、0.8mm以下である。酸化ガリウム単結晶基板21は、酸化ガリウム単結晶13からなる。【選択図】図2
Abstract translation: 氧化镓单晶可以提高发光效率，并提供一种氧化镓单晶衬底。 甲氧化镓单晶13的位错密度是3.5〜106细胞/ cm 2或更小。 氧化镓单晶13通过EFG工艺生产的。 的EFG过程的晶种接触温度为1950℃以下1930℃以上。 氧化镓单晶13的颈部13A为0.8mm或更小。 氧化镓单晶衬底21由氧化镓单晶13。 .The
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