公开(公告)号：CN118655660A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410768252.2

申请日：2024-06-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟君 ,  洪逸裕 ,  王钰泽 ,  熊佳敏 ,  陈志刚

IPC: G02B6/30 ,  G02B6/26

Abstract: 本发明提供一种光纤‑波导耦合器及其制作方法，通过将第一多模光纤与高折射率光纤熔接，形成特定尺寸的渐变结构，有效降低了模式转换损耗。同时，通过凹槽技术将经过拉锥处理的高折射率光纤固定于SOI衬底上，实现了高折射率光纤与锥形波导的高精度对准和绝热耦合，显著提升耦合效率和带宽。在1550纳米工作波长下，该光纤‑波导耦合器仿真耦合效率高达99.4％，‑1dB带宽约220纳米。本发明的光纤‑波导耦合器制作工艺简单，成本低，无需昂贵的3D打印技术或波导悬空设计，具有优良的结构稳定性，对位置变化不敏感，且能抵抗机械振动，适用于低温工作环境。

公开(公告)号：CN118190153A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410215730.7

申请日：2024-02-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟君 ,  陈志刚 ,  张兴雨 ,  王钰泽 ,  熊佳敏

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明涉及一种SNSPD低温读出电路及装置，包括第一电阻、第一电容和LC滤波电路；第一电容与SNSPD的输出端口连接并与后级电路的输入电阻形成RC滤波回路，RC滤波回路用来获取完整的SNSPD脉冲信号并将SNSPD脉冲信号输出至低温放大器；第一电阻和LC滤波电路组成的串联电路分别与SNSPD的输出端口、偏置电压连接，用来为SNSPD提供直流偏置并滤除所述直流偏置的噪声。RC滤波回路能够改善SNSPD低温读出电路的带宽，减少脉冲信号反射，LC滤波回路能够改善直流分路的电噪声状态使读出电路能够有效获取SNSPD的脉冲信号，两者相结合能够有效改善器件的测量转变电流并提升器件整体探测性能。

公开(公告)号：CN112229510A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011101934.6

申请日：2020-10-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟君 ,  熊佳敏 ,  尤立星 ,  王镇 ,  谢晓明

IPC: G01J1/44 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及制备方法，包括：衬底及形成于所述衬底上的超导线，所述超导线包括多个直线部及连接直线部的拐角部；其中，所述超导线的拐角部的厚度大于直线部的厚度。本发明的单光子探测器及制备方法将超导线拐角部的厚度加厚(大于直线部厚度)，从而提升拐角区域的临界电流。尽管超导线拐角部仍然存在“电流拥挤效应”，但因为拐角区域整体的临界电流提升至高于直线部的临界电流水平，拐角区域不再是限制整体超导线临界电流的瓶颈，从而达到抑制拐角区域“电流拥挤效应”所带来的不良影响的目的。

公开(公告)号：CN119451552A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411542216.0

申请日：2024-10-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟君 ,  王钰泽 ,  熊佳敏 ,  黄佳 ,  尤立星

IPC: H10N60/82 ,  H10N60/83 ,  H10N60/01

Abstract: 本发明提供一种超导微米线单光子探测器件及其制备方法，通过刻蚀超导微米线的直线部，形成具有一定宽度和深度的直凹槽区和过渡区，同时，控制直凹槽区的刻蚀深度，使得该区域的临界电流低于弯角区的临界值，有效缓解弯角区因高占空比造成的“电流拥挤效应”。本发明能够提升超导微米线的量子效率，且结构简单，实现工艺便捷，易于拓展成具有大光敏面积的探测器，在量子光学、激光测距、暗物质探测等领域具有潜在的应用前景。

公开(公告)号：CN117007195A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210457541.1

申请日：2022-04-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟君 ,  熊佳敏 ,  尤立星 ,  王镇

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明提供一种降低超导单光子探测器暗计数的方法及超导单光子探测器装置，包括：1)根据需求采用模型计算并设计滤光片，加工形成所述滤光片；2)提供超导纳米线单光子探测器芯片，将所述滤光片固定在所述超导纳米线单光子探测器芯片的上表面；3)将所述滤光片、所述超导纳米线单光子探测器芯片与光纤封装在一起，所述光纤与所述滤光片相对设置，并调节所述光纤与所述滤光片之间的距离以实现聚焦，得到超导纳米线单光子探测器装置。本发明构建了一种紧凑、普适、便捷的低损耗、低温滤波方法；实现了对器件背景暗计数的强烈抑制效果，从而带来了器件同等噪声功率超过20倍的显著提升。

公开(公告)号：CN112229510B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202011101934.6

申请日：2020-10-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟君 ,  熊佳敏 ,  尤立星 ,  王镇 ,  谢晓明

IPC: G01J1/44 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及制备方法，包括：衬底及形成于所述衬底上的超导线，所述超导线包括多个直线部及连接直线部的拐角部；其中，所述超导线的拐角部的厚度大于直线部的厚度。本发明的单光子探测器及制备方法将超导线拐角部的厚度加厚(大于直线部厚度)，从而提升拐角区域的临界电流。尽管超导线拐角部仍然存在“电流拥挤效应”，但因为拐角区域整体的临界电流提升至高于直线部的临界电流水平，拐角区域不再是限制整体超导线临界电流的瓶颈，从而达到抑制拐角区域“电流拥挤效应”所带来的不良影响的目的。