-
公开(公告)号：CN106629575B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610898632.3
申请日：2016-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种旁热式微传感器及其制造方法，包括：衬底，衬底内形成有凹槽；焊盘，位于凹槽外围的衬底表面；旁热式微传感器主体，位于凹槽的上方，包括：主体支撑层、旁式加热元件、第一绝缘层及敏感电极，旁式加热元件及敏感电极位于主体支撑层表面，且旁式加热元件位于敏感电极的外侧，第一绝缘层位于旁式加热元件表面；支撑梁，位于衬底及旁热式微传感器主体之间，适于将旁热式微传感器主体固支于衬底上；疏水疏油层，位于第一绝缘层表面、裸露的主体支撑层表面、裸露的衬底表面及支撑梁表面。本发明采用旁热式结构，减少了敏感材料所在区域绝缘层漏电对于敏感测试信号造成的干扰，在敏感电极区域实现简易的自对准式液态敏感材料上载。
-
公开(公告)号：CN106629575A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610898632.3
申请日：2016-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00134
Abstract: 本发明提供一种旁热式微传感器及其制造方法，包括：衬底，衬底内形成有凹槽；焊盘，位于凹槽外围的衬底表面；旁热式微传感器主体，位于凹槽的上方，包括：主体支撑层、旁式加热元件、第一绝缘层及敏感电极，旁式加热元件及敏感电极位于主体支撑层表面，且旁式加热元件位于敏感电极的外侧，第一绝缘层位于旁式加热元件表面；支撑梁，位于衬底及旁热式微传感器主体之间，适于将旁热式微传感器主体固支于衬底上；疏水疏油层，位于第一绝缘层表面、裸露的主体支撑层表面、裸露的衬底表面及支撑梁表面。本发明采用旁热式结构，减少了敏感材料所在区域绝缘层漏电对于敏感测试信号造成的干扰，在敏感电极区域实现简易的自对准式液态敏感材料上载。
-
公开(公告)号：CN103991841A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410250429.6
申请日：2014-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，包括步骤：1)提供一表面具有微通道和储液池的基底，生长第一自组装单层膜；2)提供一具有镂空结构的硬掩膜，对准后，利用紫外光穿过镂空结构辐照至第一自组装单层膜的局部区域，使所述第一自组装单层膜的局部区域被氧化去除；3)在去除第一自组装单层膜的区域生长第二自组装单层膜。4)重复步骤2)，局部去除所述第一自组装单层膜的另一局部区域，并在这一区域生长第三自组装单层膜；5)继续重复上述去除和生长步骤，实现多重自组装单层膜在圆片级基底表面的集成生长。该方法可应用于多功能微流控芯片的批量制造，且材料制备简单成熟，易于操作，单次操作成本低廉，具有较强的推广及应用价值。
-
公开(公告)号：CN103991841B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410250429.6
申请日：2014-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，包括步骤：1)提供一表面具有微通道和储液池的基底，生长第一自组装单层膜；2)提供一具有镂空结构的硬掩膜，对准后，利用紫外光穿过镂空结构辐照至第一自组装单层膜的局部区域，使所述第一自组装单层膜的局部区域被氧化去除；3)在去除第一自组装单层膜的区域生长第二自组装单层膜。4)重复步骤2)，局部去除所述第一自组装单层膜的另一局部区域，并在这一区域生长第三自组装单层膜；5)继续重复上述去除和生长步骤，实现多重自组装单层膜在圆片级基底表面的集成生长。该方法可应用于多功能微流控芯片的批量制造，且材料制备简单成熟，易于操作，单次操作成本低廉，具有较强的推广及应用价值。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.06 seconds)
