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公开(公告)号：CN116936623A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311011249.8
申请日：2023-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提出了一种基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管，包括衬底、沟道层、栅介质层、栅极、源极和漏极。其中，沟道层为二维范德华沟道材料，以在外加电场的作用下产生载流子；栅介质层形成于沟道层之上，为二维范德华氟晶云母材料，与沟道层通过范德华力结合；栅极形成于栅介质层之上，用于向栅介质层施加栅压，使得栅介质层中产生用于调控沟道层中载流子迁移以形成电流的电场；源极和漏极分别形成于栅介质层的两侧，用于传输电流。
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公开(公告)号：CN116741868A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310972128.3
申请日：2023-08-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种光电探测器，包括：衬底；绝缘层，设置在部分的衬底上；碲化镓层，设置在衬底和绝缘层上，与衬底形成异质结，使异质结中的电子吸收来自外部照射的光子产生跃迁；第一电极，设置在碲化镓层上；第二电极，设置在衬底的与绝缘层相对的一侧，通过第一电极和第二电极施加的外加电场使电子定向移动产生探测电流并通过第一电极和第二电极输出。采用低对称晶体结构的碲化镓层与衬底形成异质结，使能带相交或错位，导致电子运输现象的变化，可以同时发挥衬底和碲化镓层两个材料的不同特性，使光电探测器可以探测较宽波长范围内的激光。
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公开(公告)号：CN114649428A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210292053.X
申请日：2022-03-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0312 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法，该高速光电探测器包括：基底，材料为三维材料硅；介电层，形成于基底表面上；有源层，材料为二维材料硒化亚锗，设于基底表面与介电层表面的相邻区域上；源电极，设于有源层与介电层的相邻区域上；漏电极，设于有源层与基底的相邻区域上。该探测器将硒化亚锗与硅结合，实现了光探测范围从可见光区到近红外区域，并且提高了光电探测器的响应时间，具有成为宽带宽光电探测器的潜力。
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公开(公告)号：CN111430536B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010309260.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用，该同质结磁阻器件包括硅层；二氧化硅层，其设置在硅层上，与硅层共同作为栅极和绝缘层；第一纳米片和第二纳米片，均设置在二氧化硅层上，第一纳米片和第二纳米片部分重叠，该重叠区域形成垂直结构，第一纳米片和第二纳米片均为过渡金属磁性原子掺杂非磁性二维半导体材料；以及源极和漏极，分别位于第一纳米片和第二纳米片之上。本发明中元素的掺杂是一种调控二维材料性质的有效手段，利用过渡金属原子对非磁性材料的掺杂从而在非磁性材料中引入磁性，这种方式为自旋电子学的发展提供了更多选择。
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公开(公告)号：CN110954578A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911299655.2
申请日：2019-12-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/12 , G06F3/01 , G06F21/36 , H03K17/945
Abstract: 一种湿度传感器及其制备方法、非接触式控制屏及应用，该湿度传感器的制备方法包括在衬底上制备交指电极；在制备有交指电极的衬底上制备湿敏材料，即得到所述湿度传感器。本发明所采用的制备MoO3纳米片的方法具有产率高、操作简单、成本极低的优点；目前市面上的非接触式控制屏或控制开关以电容式或红外传感为主，且以刚性屏幕为主，而本发明首次利用造价更为便宜且性能优异的湿度传感器和柔性PET衬底构筑基于湿度传感器阵列的透明柔性非接触控制屏，拓宽了非接触控制屏的应用潜力和应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117542922A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311595342.8
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/102
Abstract: 本公开提供一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，包括：在β‑Ga2O3衬底上制备同质的β‑Ga2O3外延层得到外延片；在外延层上沉积一层铝层或金层后再沉积一层硬掩膜层；通过掩膜材料将硬掩膜层图形化，并基于图形化的硬掩膜层对外延片进行刻蚀，得到长轴延伸方向相互垂直的第一条形台面阵列和第二条形台面阵列；在制备了第一条形台面阵列和第二条形台面阵列的器件表面沉积隔离层；将铝层溶解，并去除第一条形台面阵列和第二条形台面阵列表面的隔离层；按应用需求在第一条形台面阵列和/或第二条形台面阵列上制备电极，并进行封装得到基于紫外偏振光实现运算放大的运算放大器或具有紫外偏振光探测功能的探测器，完成基于氧化镓的紫外偏振光电器件的制备。
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公开(公告)号：CN113035692B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110242678.0
申请日：2021-03-05
Applicant: 河南师范大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种超宽禁带二维半导体GaPS4的制备方法，将镓源，磷源和硫源混合后，采用“预生长再重结晶法”得到透明的GaPS4单晶材料。所述“预生长再重结晶法”为先通过热端高温反应，冷端回流硫磷液体生成GaPS4前驱体，再通过冷热端交换的化学气相传输法提纯得到结晶质量高的GaPS4单晶材料；所述超宽禁带二维半导体GaPS4由所述GaPS4单晶材料剥离得到。本发明提供的制备方法反应条件温和，操作简单方便，成本低。
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公开(公告)号：CN117038779A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310977949.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明的实施例涉及了一种偏振光探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该偏振光探测器包括：作为栅电极的N型衬底；生长在N型衬底上的绝缘层；具有各向异性的锗锑硒三元晶体形成的有源层，有源层将入射至偏振光探测器的偏振光转换为光电流；形成在有源层两端的源电极和漏电极，以输出偏振光探测器的电信号。本发明利用锑部分代替了锗的晶格位点，在保留了硒化亚锗晶体结构的同时，得到的锗锑硒三元晶体拥有相较于硒化亚锗晶体更窄的带隙，从而得到更宽的光谱响应范围。
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公开(公告)号：CN114582993B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210206059.0
申请日：2022-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及了一种光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用。一种光电传感器包括：衬底；绝缘层，设置于衬底上；探测及成像层，设置于绝缘层上；至少一组源电极和漏电极，设置于探测及成像层上并一个延伸方向上依次设置，源电极和漏电极延伸出探测及成像层的部分与绝缘层接触；其中，探测及成像层的导电率响应于入射的可见光发生变化。通过机械剥离在衬底上得到二维正交相磷化硅纳米带作为探测及成像层，将掩膜覆盖至二维正交相磷化硅表面并沉积源电极和漏电极，构建二维正交相磷化硅光电探测器，实现对可见光的高敏感度探测，并利用这一性质应用于光图像传感器，实现对物体的成像。
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公开(公告)号：CN113629158B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110898961.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G01J3/02 , G01J3/28
Abstract: 本发明提供一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法，宽光谱偏振光探测器包括基底层以及偏振层；基底层具有一成型面；偏振层设于所述成型面上，包括由左至右依次设置的源电极、有源层以及漏电极；其中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯。在本发明提供的技术方案中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯，结构具有各向异性，有利于敏感的偏振光探测；作为N型半导体，其费米能级靠近导带，提高了包括电子从价带到导带的宽能带以及导带内近邻能带的跃迁频率，实现了电子的多通道跃迁，拓宽了光电探测器的光谱探测范围，从日盲区到近红外区。
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