公开(公告)号：TWI304057B

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：TW095107521

申请日：2006-03-07

Applicant: 中央研究院 ACADEMIA SINICA

Inventor： 周大新 CHOW, TAHSIN J. ,  陳奎佑 CHEN, KEW-YU ,  黃俊傑 HWANG, JIUNN-JYE

IPC: C07C ,  H01L

CPC classification number: C07C49/665 ,  C07C4/16 ,  C07C35/44 ,  C07C43/188 ,  C07C2603/90 ,  C07C15/20

Abstract: 本發明係提供一種可溶性稠五苯前驅物及其製備方法,本發明之稠五苯前驅物具有良好的溶解性質,可以塗佈的方式製成固態薄膜,在加溫時脫去一氧化碳,直接轉化成高純度的稠五苯薄膜,以應用於有機薄膜電晶體的開發。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种可溶性稠五苯前驱物及其制备方法,本发明之稠五苯前驱物具有良好的溶解性质,可以涂布的方式制成固态薄膜,在加温时脱去一氧化碳,直接转化成高纯度的稠五苯薄膜,以应用于有机薄膜晶体管的开发。

公开(公告)号：TW200730470A

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：TW095107521

申请日：2006-03-07

Applicant: 中央研究院 ACADEMIA SINICA

Inventor： 周大新 CHOW, TAHSIN J. ,  陳奎佑 CHEN, KEW-YU ,  黃俊傑 HWANG, JIUNN-JYE

IPC: C07C ,  H01L

CPC classification number: C07C49/665 ,  C07C4/16 ,  C07C35/44 ,  C07C43/188 ,  C07C2603/90 ,  C07C15/20

Abstract: 本發明係提供一種可溶性稠五苯前驅物及其製備方法,本發明之稠五苯前驅物具有良好的溶解性質,可以塗佈的方式製成固態薄膜,在加溫時脫去一氧化碳,直接轉化成高純度的稠五苯薄膜,以應用於有機薄膜電晶體的開發。
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Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种可溶性稠五苯前驱物及其制备方法,本发明之稠五苯前驱物具有良好的溶解性质,可以涂布的方式制成固态薄膜,在加温时脱去一氧化碳,直接转化成高纯度的稠五苯薄膜,以应用于有机薄膜晶体管的开发。 095107521-p01.bmp

公开(公告)号：TW200938523A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：TW097107460

申请日：2008-03-04

Applicant: 中央研究院 ACADEMIA SINICA

Inventor： 周大新 CHOW, TAHSIN J. ,  吳忠幟 WU, CHUNG CHIH ,  莊大賢 CHUANG, TA HSIEN ,  謝信弘 HSIEH, HSING HUNG ,  黃信華 HUANG, HSIN HUI

IPC: C07C ,  C07D ,  H01L

Abstract: 稠五苯、稠四苯、及為目前適用於有機薄膜電晶體之最佳材料。本發明合成多主可溶的有機半導體材料前趨物,利用旋轉塗佈法等方式製作大面積的薄膜後,以加熱或照光方式使其裂解,產生高純度的有機半導體薄膜,配合目前習知製程可形成有效的場效電晶體元件。

Abstract in simplified Chinese: 稠五苯、稠四苯、及为目前适用于有机薄膜晶体管之最佳材料。本发明合成多主可溶的有机半导体材料前趋物,利用旋转涂布法等方式制作大面积的薄膜后,以加热或照光方式使其裂解,产生高纯度的有机半导体薄膜,配合目前习知制程可形成有效的场效应管组件。