公开(公告)号：TW200909810A

公开(公告)日：2009-03-01

申请号：TW096144637

申请日：2007-11-23

Applicant: 中央研究院 ACADEMIA SINICA

Inventor： 陳啓東 CHEN, CHII DONG ,  林宏一 LIN, HUNG YI ,  蔡麗珠 TSAI, LI CHU

IPC: G01N

CPC classification number: C23C18/02 ,  B22F1/0022 ,  B22F1/0062 ,  B22F2998/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C18/04 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/42 ,  H01L21/32051 ,  H01L51/0093 ,  H01L2221/1094 ,  Y02P10/295 ,  B22F3/1055

Abstract: 本發明為一種產生具有單顆粒解析度之一維金奈米顆粒式樣的方法,其中線寬度僅由顆粒尺寸所限制。首先,使用一種集中的電子束在SiO2表面上產生一個正電荷層。然後使用正電荷吸引經生物素修飾之DNA分子藉以進一步吸引金奈米顆粒形成以電荷式樣為基礎的顆粒排列。由於不同金膠顆粒之間的排斥力,在單線式樣內的顆粒以有次序的方式分開。單線式樣排列的顆粒在奈米光子和奈米電子方面具有應用的潛力。在奈米電子方面,單線的式樣可做為高或低電阻之奈米導線的態樣。在極高的容許電流密度下,低電阻導線顯示線性電流-電壓特性。在低溫下,高電阻導線顯示具有清楚之庫倫振盪現像,這是在單電子電晶體內的電荷效應,所以本發明的方法能產生連接奈米導線和單電子電晶體。此外,此種方法具有積體電路製造的靈活度和可能性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明为一种产生具有单颗粒分辨率之一维金奈米颗粒式样的方法,其中线宽度仅由颗粒尺寸所限制。首先,使用一种集中的电子束在SiO2表面上产生一个正电荷层。然后使用正电荷吸引经生物素修饰之DNA分子借以进一步吸引金奈米颗粒形成以电荷式样为基础的颗粒排列。由于不同金胶颗粒之间的排斥力,在单线式样内的颗粒以有次序的方式分开。单线式样排列的颗粒在奈米光子和奈米电子方面具有应用的潜力。在奈米电子方面,单线的式样可做为高或低电阻之奈米导线的态样。在极高的容许电流密度下,低电阻导线显示线性电流-电压特性。在低温下,高电阻导线显示具有清楚之库伦振荡现像,这是在单电子晶体管内的电荷效应,所以本发明的方法能产生连接奈米导线和单电子晶体管。此外,此种方法具有集成电路制造的灵活度和可能性。