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公开(公告)号：CN110650841A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880031024.X
申请日：2018-04-16
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的日照遮蔽构件的特征在于，其在透明基材上具有低辐射膜，所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜，该第1电介质膜含有：位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B，该电介质层A的光学膜厚为12～86nm，该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层，该结晶性电介质层的光学膜厚为5～54nm，该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。
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公开(公告)号：CN109716180B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780056455.7
申请日：2017-07-24
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 得到一种日照遮蔽构件，其不会损害日照透过率、具有良好的可见光线透过率、从正面观察时及从斜向观察时不会呈现红色感。一种日照遮蔽构件，在透明基材上层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜及第4电介质膜，该第1电介质膜由含有折射率为2.4以上的层的2层以上的电介质层形成，该第1电介质膜整体的折射率在1.8～2.0的范围内，该第2电介质膜的光学膜厚为165～201nm，该第3电介质膜的光学膜厚为147～182nm，该第4电介质膜的光学膜厚为75～120nm，该第1金属膜、第2金属膜及第3金属膜的几何学膜厚合计为30～40nm，该第2金属膜的几何学膜厚相对于该第1金属膜及该第3金属膜各自的几何学膜厚在1.01～1.55的范围内。
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公开(公告)号：CN109716180A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056455.7
申请日：2017-07-24
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 得到一种日照遮蔽构件，其不会损害日照透过率、具有良好的可见光线透过率、从正面观察时及从斜向观察时不会呈现红色感。一种日照遮蔽构件，在透明基材上层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜及第4电介质膜，该第1电介质膜由含有折射率为2.4以上的层的2层以上的电介质层形成，该第1电介质膜整体的折射率在1.8～2.0的范围内，该第2电介质膜的光学膜厚为165～201nm，该第3电介质膜的光学膜厚为147～182nm，该第4电介质膜的光学膜厚为75～120nm，该第1金属膜、第2金属膜及第3金属膜的几何学膜厚合计为30～40nm，该第2金属膜的几何学膜厚相对于该第1金属膜及该第3金属膜各自的几何学膜厚在1.01～1.55的范围内。
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