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公开(公告)号：CN114703542B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210348418.6
申请日：2018-11-01
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111315923A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880071163.5
申请日：2018-11-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12 , H01L21/208
Abstract: 在基于TSSG法的4H-SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H-SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H-SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
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公开(公告)号：CN118043504A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280066171.7
申请日：2022-09-26
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的碳化硅单晶晶圆(31)以1.0×1016atoms/cm3以下的浓度包含硼，在表面存在有基底面位错密度为100个/cm2以下的中央区域(33)。中央区域(33)包含碳化硅单晶晶圆(31)的表面的中心。中央区域(33)面积为碳化硅单晶晶圆(31)的表面的面积的四分之一以上。
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公开(公告)号：CN114703542A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210348418.6
申请日：2018-11-01
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
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公开(公告)号：CN111315923B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201880071163.5
申请日：2018-11-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12 , H01L21/208
Abstract: 在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
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