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公开(公告)号：CN105369348B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201410438531.9
申请日：2014-08-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C30B25/12
Abstract: 本发明提供了一种用于MOCVD反应系统的晶圆载盘，所述晶圆载盘的上表面包括第一子表面和第二子表面，在所述第一子表面上设置有用于放置晶圆的第一结构，在所述第二子表面上设置有第二结构，所述第二结构能够增大所述第二子表面的面积，使反应气体与晶圆载盘的第二子表面的反应速率常数等于反应气体与晶圆表面的反应速率常数。因而，通过本发明提供的晶圆载盘，能够保证靠近气体旋转方向前端的晶圆边缘上方的气体浓度与其它区域上方的气体浓度相等，从而能够保证晶圆整个表面上的反应速率均相等，进一步保证生长在晶圆整个表面上的晶体材料的厚度相同。
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公开(公告)号：CN105274498A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510848824.9
申请日：2012-05-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: F16L53/00 , C23C16/45514 , C23C16/45517 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C30B25/14 , H01L21/67109 , Y10T137/0402 , Y10T137/6416
Abstract: 本发明公开了一种气体喷淋头，所述气体喷淋头包括气体分布扩散板和水冷板，气体分布扩散板包括连接第一反应气体源的若干组第一气体扩散通道和连接第二反应气体源的若干列第二气体扩散通道，在气体分布扩散板下方设置带有冷却液通道的水冷板，水冷板上带有配合第一气体扩散通道流出的第一出气通道和配合第二气体扩散通道内的反应气体流出的第二出气通道，从而实现将至少两种反应气体相互隔离地注入反应腔内。
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公开(公告)号：CN104602434A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310526140.8
申请日：2013-10-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供了一种电感耦合型等离子体处理装置及其自感应线圈，其中，所述电感耦合型等离子体处理装置包括一封闭壳体，其包括顶板。所述电感耦合型等离子体处理装置包括位于所述顶板上的电感耦合线圈，所述电感耦合线圈对应于所述基片多个区域划分为多个区域，以发射射频能量到所述封闭壳体内，至少两个区域的电感耦合线圈之间设置有至少一个自感应线圈，当电感耦合线圈通电时，所述自感应线圈自感应出与和相邻的电感耦合线圈方向相反的电流，以产生和相邻的电感耦合线圈方向相反的磁场，其中，所述自感应线圈是电浮地的。本发明能够改善基片制程均一性。
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公开(公告)号：CN103578899A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210277352.2
申请日：2012-08-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/20 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种静电卡盘，用于等离子体处理设备的反应腔室中，用于固定待加工件，静电卡盘包括如下部分：第一绝缘层，待加工件被置于第一绝缘层之上；第二绝缘层，位于第一绝缘层下方，第二绝缘层内置有一加热器，用于产生热量通过第一绝缘层加热待加工件；基体，位于第二绝缘层下方，用于支撑第一绝缘层和第二绝缘层；其中，静电卡盘至少还包括一热传导层，设置于第一绝缘层和第二绝缘层之间，由热传导系数不低于铝的材料制成，用于使第二绝缘层产生的热量向第一绝缘层的不同区域均匀地传导。其能使第一绝缘层不同区域的温度均一，并能减少因热膨胀而对静电卡盘产生的损伤。
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公开(公告)号：CN103633003B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210310949.2
申请日：2012-08-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘，用于等离子体处理装置中固定待加工件，其包括：第一绝缘层；电极，位于所述第一绝缘层之中，用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层的下方；加热器，设置于所述第二绝缘层内，所述加热器产生的热量加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层的下方，用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层，所述基体至少包括一冷却液流道，用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却；其中，所述基体还包括：一阻热单元，所述阻热单元设置于所述冷却液流道的上部且其上表面与所述第二绝缘层的下表面相贴，所述阻热单元用于降低所述加热器所产生的热量向所述冷却液流道传递的速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103578900B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210284969.7
申请日：2012-08-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种静电卡盘，用于等离子体处理设备的反应腔室中，用于固定待加工件，静电卡盘包括：第一绝缘层，待加工件被置于第一绝缘层之上；第二绝缘层，位于第一绝缘层下方，第二绝缘层内设有一加热器，用于产生热量通过第一绝缘层加热待加工件；基体，位于第二绝缘层下方，用于支撑第一绝缘层和第二绝缘层，基体包括至少一个冷却液流道，用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却；其中，静电卡盘至少还包括一隔热单元，设置于加热器下方，用于降低加热器产生的热量被冷却液带走的速度。其提高了加热器产生热量的利用率，使得待加工件快速升温。
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公开(公告)号：CN103681185A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210316678.1
申请日：2012-08-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/20 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘及等离子体处理装置，该静电卡盘用于等离子体处理装置中固定待加工件，其包括：第一绝缘层，用于承载所述待加工件；电极，位于所述第一绝缘层之中，用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层的下方；加热器，设置于所述第二绝缘层内，所述加热器产生的热量能够通过所述第二绝缘层传递至所述第一绝缘层来加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层的下方，用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层；其中，所述电极的厚度至少大于0.1mm，使所述第二绝缘层向所述第一绝缘层传递的热量均匀地散布至待加工件。
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公开(公告)号：CN103578899B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210277352.2
申请日：2012-08-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/20 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种静电卡盘，用于等离子体处理设备的反应腔室中，用于固定待加工件，静电卡盘包括如下部分：第一绝缘层，待加工件被置于第一绝缘层之上；第二绝缘层，位于第一绝缘层下方，第二绝缘层内置有一加热器，用于产生热量通过第一绝缘层加热待加工件；基体，位于第二绝缘层下方，用于支撑第一绝缘层和第二绝缘层；其中，静电卡盘至少还包括一热传导层，设置于第一绝缘层和第二绝缘层之间，由热传导系数不低于铝的材料制成，用于使第二绝缘层产生的热量向第一绝缘层的不同区域均匀地传导。其能使第一绝缘层不同区域的温度均一，并能减少因热膨胀而对静电卡盘产生的损伤。
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公开(公告)号：CN103681185B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210316678.1
申请日：2012-08-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/20 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘及等离子体处理装置，该静电卡盘用于等离子体处理装置中固定待加工件，其包括：第一绝缘层，用于承载所述待加工件；电极，位于所述第一绝缘层之中，用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层的下方；加热器，设置于所述第二绝缘层内，所述加热器产生的热量能够通过所述第二绝缘层传递至所述第一绝缘层来加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层的下方，用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层；其中，所述电极的厚度至少大于0.1mm，使所述第二绝缘层向所述第一绝缘层传递的热量均匀地散布至待加工件。
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公开(公告)号：CN105369348A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410438531.9
申请日：2014-08-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: C30B25/12
Abstract: 本发明提供了一种用于MOCVD反应系统的晶圆载盘，所述晶圆载盘的上表面包括第一子表面和第二子表面，在所述第一子表面上设置有用于放置晶圆的第一结构，在所述第二子表面上设置有第二结构，所述第二结构能够增大所述第二子表面的面积，使反应气体与晶圆载盘的第二子表面的反应速率常数等于反应气体与晶圆表面的反应速率常数。因而，通过本发明提供的晶圆载盘，能够保证靠近气体旋转方向前端的晶圆边缘上方的气体浓度与其它区域上方的气体浓度相等，从而能够保证晶圆整个表面上的反应速率均相等，进一步保证生长在晶圆整个表面上的晶体材料的厚度相同。
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