成膜装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116065120B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202211243305.6

    申请日:2022-10-11

    Inventor: 佐藤贵康

    Abstract: 本发明的实施方式所涉及的成膜装置在减压后的处理容器内设有在基板进行真空成膜的成膜室、以及与成膜室连通并对基板进行冷却的冷却室,冷却室具备:供基板移动的通路;以及冷却装置,其配置于处理容器的内壁,包括与通路相对的表面积扩大构造部、以及冷却剂的冷却剂流路。表面积扩大构造部包括从处理容器的内壁朝向通路突出设置的多个突出部,冷却剂流路沿着突出部形成。

    成膜装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105316628A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510394188.7

    申请日:2015-07-07

    CPC classification number: H01J37/32559 C23C14/325 H01J37/32055 H01J37/34

    Abstract: 本发明提供了一种成膜装置,其包括筒状蒸发源(1)、封闭构件(2A,2B)和辅助电极(3)。筒状蒸发源(1)配置为将工件(W)容纳在蒸发源(1)的内部空间中。筒状蒸发源(1)配置为通过电弧放电从筒状蒸发源(1)释放离子以便所述离子沉积在工件(W)的表面上。封闭构件(2A,2B)封闭所述内部空间。辅助电极(3)沿着筒状蒸发源(1)的内壁表面设置。辅助电极(3)配置为接地或是被施加以正电压以便所述内部空间的电子流向辅助电极(3)。

    成膜装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116065120A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202211243305.6

    申请日:2022-10-11

    Inventor: 佐藤贵康

    Abstract: 本发明的实施方式所涉及的成膜装置在减压后的处理容器内设有在基板进行真空成膜的成膜室、以及与成膜室连通并对基板进行冷却的冷却室,冷却室具备:供基板移动的通路;以及冷却装置,其配置于处理容器的内壁,包括与通路相对的表面积扩大构造部、以及冷却剂的冷却剂流路。表面积扩大构造部包括从处理容器的内壁朝向通路突出设置的多个突出部,冷却剂流路沿着突出部形成。

    成膜装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105316628B

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201510394188.7

    申请日:2015-07-07

    CPC classification number: H01J37/32559 C23C14/325 H01J37/32055 H01J37/34

    Abstract: 本发明提供了一种成膜装置,其包括筒状蒸发源(1)、封闭构件(2A,2B)和辅助电极(3)。筒状蒸发源(1)配置为将工件(W)容纳在蒸发源(1)的内部空间中。筒状蒸发源(1)配置为通过电弧放电从筒状蒸发源(1)释放离子以便所述离子沉积在工件(W)的表面上。封闭构件(2A,2B)封闭所述内部空间。辅助电极(3)沿着筒状蒸发源(1)的内壁表面设置。辅助电极(3)配置为接地或是被施加以正电压以便所述内部空间的电子流向辅助电极(3)。

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