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公开(公告)号：CN115602703A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210765593.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 丰田自动车株式会社(JP)
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置具有：n型氧化镓半导体层，具有中央区域以及施主密度比所述中央区域低的周边区域；电极层，层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，在所述中央区域中与所述n型氧化镓半导体层形成肖特基结；以及第一p型氧化镍半导体层，以部分地配置于所述n型氧化镓半导体层与所述电极层之间的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，所述周边区域侧的外周端部处于所述周边区域。
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