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公开(公告)号：CN116429300B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310685836.9
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅和微流道冷却的超高温压力传感芯片及系统，使用底部各向异性腐蚀并氧化和在压阻式的半导体电阻的周围刻蚀电阻分隔结构并填充和覆盖绝缘层相结合的方法，将组成惠斯登电桥的半导体电阻用二氧化硅层绝缘隔离包裹起来，避免了传统单晶硅pn结隔离高温漏电流失效的问题。本发明还提出了使用微流道环绕高温压力传感芯片的微组装方法，隔离了外界高温并降低了芯片周围温度，使得系统可以在高于硅基压力传感芯片最高工作温度的1000℃以上的超高温环境中工作。同时这种微流道环绕芯片进行冷却的方法也适用于其他材质和原理的工作在极端高温环境中的传感器、集成电路、大功率器件等。
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公开(公告)号：CN115542461A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211414571.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，包括所述光接收芯片上设置的端面耦合器、逆向设计偏振分束器、逆向设计波分解复用器以及高速锗硅探测器，所述逆向设计波分解复用器包括TE模式逆向设计波分解复用器和TM模式逆向设计波分解复用器，各器件之间通过光波导进行连接，高速锗硅探测器通过高频引线和高频电极与外部功能芯片连接。本发明一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，通过逆向设计方法设计偏振分束器以及基于TE、TM模式的波分解复用器件来解决传统光接收芯片上由于集成系统中分立器件中存在占位面积大、性能不稳定、带宽不够，串扰高的问题。
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公开(公告)号：CN115903130A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211498280.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的超表面透镜锥型波导及其波前整形方法，该波导包括输入多模波导端，超表面透镜区域，锥形区域以及输出单模波导端。超表面透镜区域和紧凑的锥形区域通过拓扑优化逆向设计，连接在光信号输入端和输出端之间，光信号经过超表面透镜区域聚焦到锥形区域从输出端输出。本发明基于水平集方法对器件进行拓扑优化逆向设计，利用片上超表面透镜实现了短距离的聚焦，大大地缩短了锥形区域的长度，且插损仅不到1db。本发明主要结合超表面透镜的聚焦效应和逆向设计的优化方法，通过对片上集成光的调控，为在芯片上实现波前整形提供了新的方式，进一步迈向更小型化更紧凑的集成光学器件。
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公开(公告)号：CN114899265A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210823413.4
申请日：2022-07-14
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/105 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种点状金属接触结构的锗硅探测器，包括SOI衬底层，所述SOI衬底层包括上部的顶层硅，所述顶层硅上设有P型重掺杂有源层、N型重掺杂有源层、非掺杂本征锗层、点状金属接触电极，所述P型重掺杂有源层、非掺杂本征锗层、N型重掺杂有源层形成水平或纵向PIN结构，所述点状金属接触电极分别设置在P型重掺杂有源层和N型重掺杂有源层上，使用点状金属接触结构可以大大减少光模式与金属之间的重叠，从而减少吸收损失，提高锗硅探测器的响应度。
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公开(公告)号：CN113985524B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111606890.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料波导的阵列波导光栅，所述阵列波导光栅包括阵列波导部分、输入平板波导、输出平板波导、输入信道波导、输出信道波导，所述阵列波导部分两端分别与所述输入平板波导和输出平板波导连接，所述输入平板波导末端与所述输入信道波导连接，所述输出平板波导末端与所述输出信道波导连接，所述阵列波导部分包括若干根阵列波导，所述阵列波导为超材料波导，在传统波导的周围周期性地排布亚波长波导得到多层结构，这一结构具有很强的各向异性，这一结构可用作传统波导的包层，使用强各向异性包层包围传统波导，整体形成超材料波导，有效抑制了传统波导的倏逝波及趋肤深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118466863B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410937903.6
申请日：2024-07-12
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F3/06
Abstract: 本说明书公开了一种数据存储方法、装置、存储介质及电子设备，根据待存储数据确定出用于存储待存储设备的若干个目标内存空间，确定若干目标内存空间包含的各单元存储位数量，而后按照确定出的数量对各单元存储位进行编号，从而根据待存储数据的数据量，组合各单元存储位对应的编号，针对待存储数据中的每个数据，确定该数据对应的编号组合以及该数据对应的编号，按照数据对应的编号存储该数据。通过对若干个目标内存空间包含的各单元存储位进行编号，并对编号进行组合，可根据得到的打乱序号的各编号组合中每个数据对应的编号将数据存储至该编号对应的单元存储位。更均匀地将数据存储至各目标内存空间中，提高了数据的存储以及读取效率。
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公开(公告)号：CN118466863A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410937903.6
申请日：2024-07-12
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F3/06
Abstract: 本说明书公开了一种数据存储方法、装置、存储介质及电子设备，根据待存储数据确定出用于存储待存储设备的若干个目标内存空间，确定若干目标内存空间包含的各单元存储位数量，而后按照确定出的数量对各单元存储位进行编号，从而根据待存储数据的数据量，组合各单元存储位对应的编号，针对待存储数据中的每个数据，确定该数据对应的编号组合以及该数据对应的编号，按照数据对应的编号存储该数据。通过对若干个目标内存空间包含的各单元存储位进行编号，并对编号进行组合，可根据得到的打乱序号的各编号组合中每个数据对应的编号将数据存储至该编号对应的单元存储位。更均匀地将数据存储至各目标内存空间中，提高了数据的存储以及读取效率。
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公开(公告)号：CN116314169B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号：CN116314169A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310585098.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
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公开(公告)号：CN115542461B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211414571.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，包括所述光接收芯片上设置的端面耦合器、逆向设计偏振分束器、逆向设计波分解复用器以及高速锗硅探测器，所述逆向设计波分解复用器包括TE模式逆向设计波分解复用器和TM模式逆向设计波分解复用器，各器件之间通过光波导进行连接，高速锗硅探测器通过高频引线和高频电极与外部功能芯片连接。本发明一种基于逆向设计的超高集成度硅基光接收芯片，通过逆向设计方法设计偏振分束器以及基于TE、TM模式的波分解复用器件来解决传统光接收芯片上由于集成系统中分立器件中存在占位面积大、性能不稳定、带宽不够，串扰高的问题。
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