公开(公告)号：CN109477242A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201880002632.8

申请日：2018-06-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岩下修三 ,  井上真司 ,  山路浩之 ,  近藤久雄

IPC: C30B29/30 ,  C01G35/00 ,  C30B31/06 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种压电基板，其由钽酸锂(LT)晶体等含锂的金属化合物晶体构成，该压电基板在基板内含有钾，且钾的分布在基板的厚度方向上大致均匀。另外，提供一种压电基板，在从截面方向测定的拉曼光谱中，在380cm-1附近存在的起因于Li-O晶格振动的峰与电导率为1×10-15S/cm以下的未处理压电基板的同一峰相比，向高波数侧位移。

公开(公告)号：CN109477242B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201880002632.8

申请日：2018-06-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岩下修三 ,  井上真司 ,  山路浩之 ,  近藤久雄

IPC: C30B29/30 ,  C01G35/00 ,  C30B31/06 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种压电基板，其由钽酸锂(LT)晶体等含锂的金属化合物晶体构成，该压电基板在基板内含有钾，且钾的分布在基板的厚度方向上大致均匀。另外，提供一种压电基板，在从截面方向测定的拉曼光谱中，在380cm‑1附近存在的起因于Li‑O晶格振动的峰与电导率为1×10‑15S/cm以下的未处理压电基板的同一峰相比，向高波数侧位移。