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公开(公告)号：CN102652367A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201180004700.2
申请日：2011-01-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN101133504A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680007195.6
申请日：2006-03-23
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3211 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0065 , H01L51/0081 , H01L51/5253 , H01L51/5265 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明提供一种通过设置含有三芳基胺衍生物或咔唑衍生物等的表层来大幅度地提高光的取出效率的发光元件、具备该发光元件的发光装置及其制造方法。发光元件(1)是一种顶部发光结构的发光元件，在玻璃基板(10)上依次层叠由金属构成的阳极(11)、空穴输送层(12)、发光层(13)、电子输送层(14)、半透明阴极(15)及表层(16)而成。由于具有折射率高于半透明阴极(15)的表层(16)，所以可以大幅度地提高光的取出效率。另外，由于能够以不太高的温度成膜表层，所以对发光元件没有损伤。
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公开(公告)号：CN102652367B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180004700.2
申请日：2011-01-25
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN101133504B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680007195.6
申请日：2006-03-23
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3211 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0065 , H01L51/0081 , H01L51/5253 , H01L51/5265 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明提供一种通过设置含有三芳基胺衍生物或咔唑衍生物等的表层来大幅度地提高光的取出效率的发光元件、具备该发光元件的发光装置及其制造方法。发光元件(1)是一种顶部发光结构的发光元件，在玻璃基板(10)上依次层叠由金属构成的阳极(11)、空穴输送层(12)、发光层(13)、电子输送层(14)、半透明阴极(15)及表层(16)而成。由于具有折射率高于半透明阴极(15)的表层(16)，所以可以大幅度地提高光的取出效率。另外，由于能够以不太高的温度成膜表层，所以对发光元件没有损伤。
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