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公开(公告)号：CN104684870A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380050338.1
申请日：2013-09-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/584 , F27D11/02 , H05B3/14
CPC classification number: C04B35/584 , C04B35/591 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/6565 , C04B2235/6587 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F27D11/02 , F27D99/0006 , H05B3/14
Abstract: 本发明提供一种导热率高的氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置。本发明的氮化硅质烧结体具有氮化硅的结晶、MgRE4Si3O13的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi2O5N的结晶，因此具有高导热率。另外，具备包含这样的氮化硅质烧结体的保护管的加热装置能够高效传导加热器的热。而且，具备包含这样的氮化硅质烧结体的吸附构件的吸附装置能够将被吸附体所具有的热高效地散热。
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公开(公告)号：CN105246860A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201380076844.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/591 , C04B35/584
CPC classification number: C04B35/591 , C04B35/62655 , C04B35/62685 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B38/00 , C04B38/0006 , C04B2111/00793 , C04B2111/00836 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3834 , C04B2235/428 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/9669 , C04B38/0051 , C04B38/0074 , C04B38/0655
Abstract: 提供一种耐热冲击性优异，难以发生因氧化造成的变色的陶瓷烧结体，使用其构成的耐腐蚀性构件、过滤器和防光晕构件。相对于总质量含有氮化硅80质量％以上而构成，在表层，若散布含有Fe和Si的化合物，当量圆直径为0.05μm以上且5μm以下的所述化合物，每1mm2存在2.0×104个以上且2.0×105个以下，则耐热冲击性优异，难以发生因氧化造成的变色。
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公开(公告)号：CN102770394B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201180010704.1
申请日：2011-02-24
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/626 , F16J15/34
CPC classification number: C04B35/565 , C04B35/62695 , C04B35/638 , C04B2235/3208 , C04B2235/3821 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/783 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , F16C33/62 , F16C2206/56 , F16J15/3496 , Y10T428/24421
Abstract: 本发明提供一种碳化硅质烧结体及使用其的滑动部件以及防护体，其中，所述碳化硅质烧结体在长期持续使用中，即使由于热撞击或机械撞击而产生微小的裂纹，但能够抑制裂纹的发展。一种碳化硅质烧结体，以碳化硅粒子作为主构成且相对密度为95％以上，在该碳化硅质烧结体的观察面，面积为170μm2以上的粗粒状碳化硅粒子(1b)存在6面积％以上且15面积％以下。强度、刚性等机械特性优良，并且尽管通过热撞击或机械撞击而产生微小的裂纹，但通过粗粒状碳化硅粒子(1b)能够抑制裂纹的发展。
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公开(公告)号：CN113728124B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202080030844.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/44 , C04B41/87 , C23C14/08 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 提供一种耐等离子体性优异、耐久性高的等离子体处理装置用构件及等离子体处理装置。所述等离子体处理装置用构件具备包含作为金属元素或半金属元素的第一元素的基材(2)、以及位于该基材上的以氧化钇为主成分的膜(3)，在膜(3)中，在氧化钇的晶格面偏离{111}方向的偏离角度为±10°以内的范围内取向的氧化钇的晶粒的面积率为45％以上。
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公开(公告)号：CN111712586A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980012292.1
申请日：2019-02-15
IPC: C23C14/08 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C04B35/111 , C04B41/87
Abstract: 本发明的等离子体处理装置用构件，具备基材和在该基材的至少一部分上的稀土类元素的氧化物的膜。该膜中，厚度的变异系数为0.04以下。本发明的等离子体处理装置，具备上述等离子体处理装置用构件。本发明的等离子体处理装置用构件，膜的厚度的偏差少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105246860B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201380076844.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/591 , C04B35/584
CPC classification number: C04B35/591 , C04B35/62655 , C04B35/62685 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B38/00 , C04B38/0006 , C04B2111/00793 , C04B2111/00836 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3834 , C04B2235/428 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/9669 , C04B38/0051 , C04B38/0074 , C04B38/0655
Abstract: 提供一种耐热冲击性优异，难以发生因氧化造成的变色的陶瓷烧结体，使用其构成的耐腐蚀性构件、过滤器和防光晕构件。相对于总质量含有氮化硅80质量％以上而构成，在表层，若散布含有Fe和Si的化合物，当量圆直径为0.05μm以上且5μm以下的所述化合物，每1mm2存在2.0×104个以上且2.0×105个以下，则耐热冲击性优异，难以发生因氧化造成的变色。
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公开(公告)号：CN117377645A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037316.0
申请日：2022-05-26
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明的带膜构件，具备如下而构成：由陶瓷形成的基材；在基材的至少任一表面的一部分上的稀土元素的氧化物、氟化物、氧氟化物或氮化物的膜。基材的表面的露出部具有亲水性，膜的表面具有拒水性。另外，本发明的带膜构件，具备如下而构成：由石英形成的基材；在基材的至少任一表面的一部分上的稀土元素的氧化物、氟化物、氧氟化物或氮化物的膜。基材的表面的露出部具有亲水性，膜的表面具有拒水性。
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公开(公告)号：CN113728124A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202080030844.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/44 , C04B41/87 , C23C14/08 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 提供一种耐等离子体性优异、耐久性高的等离子体处理装置用构件及等离子体处理装置。所述等离子体处理装置用构件具备包含作为金属元素或半金属元素的第一元素的基材(2)、以及位于该基材上的以氧化钇为主成分的膜(3)，在膜(3)中，在氧化钇的晶格面偏离{111}方向的偏离角度为±10°以内的范围内取向的氧化钇的晶粒的面积率为45％以上。
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公开(公告)号：CN111699274A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012519.2
申请日：2019-02-15
IPC: C23C14/08 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C04B35/111 , C04B41/87
Abstract: 本发明的等离子体处理装置用构件，具备基材和在该基材上以氧化钇为主成分的膜。而且，该膜中，闭口气孔的面积占有率为0.2％以下，由X射线衍射得到的氧化钇的(222)面的衍射峰的半峰宽为0.25°以下。本发明的等离子体处理装置具备上述等离子体处理装置用构件。
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