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公开(公告)号：CN101470363B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200810186465.5
申请日：2008-12-19
Applicant: 京瓷美达株式会社
Abstract: 本发明提供单层型电子照相感光体和图像形成装置。所述单层型电子照相感光体包括基体和包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂的单层感光层，所述空穴输送剂是用下述通式(1)表示的化合物，所述电子输送剂在25℃的条件下对四氢呋喃的溶解度为27～50质量％。通式(1)中，Ar1表示单环或2～4环的芳基，Ar2表示亚苯基、亚萘基、亚联苯基或者亚蒽基，X1表示氢原子、碳原子数为1～4的烷基或者单环或2～4环的芳基，Y1表示单环或2～4环的芳基。由此，抑制膜化和黑斑，并且有效地发挥电荷输送剂具有的优良的输送电荷能力。
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公开(公告)号：CN102269941A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010537461.4
申请日：2010-11-08
Applicant: 京瓷美达株式会社
CPC classification number: G03G5/056 , G03G5/0567 , G03G5/0596
Abstract: 本发明涉及电子照相感光体和图像形成装置，提供了一种通过使形成在导电性基体上的感光层的最表层的屈服点应变为5～25％，在使用接触方式的带电部时也能够改善耐磨损性，抑制产生图像不良的电子照相感光体，以及将此电子照相感光体用作图像载体的图像形成装置。
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公开(公告)号：CN101470363A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810186465.5
申请日：2008-12-19
Applicant: 京瓷美达株式会社
Abstract: 本发明提供单层型电子照相感光体和图像形成装置。所述单层型电子照相感光体包括基体和包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂的单层感光层，所述空穴输送剂是用右式(1)表示的化合物，所述电子输送剂在25℃的条件下对四氢呋喃的溶解度为27～50质量％。通式(1)中，Ar1表示单环或2～4环的芳基，Ar2表示亚苯基、亚萘基、亚联苯基或者亚蒽基，X1表示氢原子、碳原子数为1～4的烷基或者单环或2～4环的芳基，Y1表示单环或2～4环的芳基。由此，抑制膜化和黑斑，并且有效地发挥电荷输送剂具有的优良的输送电荷能力。
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公开(公告)号：CN101644904B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910137398.2
申请日：2009-04-29
Applicant: 京瓷美达株式会社
Inventor： 宍户真
Abstract: 本发明提供一种电子照相感光体、其制造方法及图像形成装置。电子照相感光体具有圆筒型基体和配置在圆筒型基体上的感光层。感光层具有薄膜层和感光层本体。薄膜层配置在圆筒型基体的端部上、具有0.1μm～3μm范围内的厚度。感光层本体配置在圆筒型基体的端部以外的区域上、具有大于薄膜层的厚度。本发明的电子照相感光体、其制造方法及图像形成装置可以有效地抑制感光层的剥离，且制造效率优异。
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公开(公告)号：CN101520614B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810180761.4
申请日：2008-12-02
Applicant: 京瓷美达株式会社
Abstract: 本发明提供了一种单层型电子照相感光体和图像形成装置，即使在任何使用环境下形成图像时都能够有效抑制感光层表面上的成膜和由此引起的形成图像中的黑点的产生，进而，可以有效地发挥具有特定结构的腙化合物的优异的电荷输送能力，能够稳定地保持感光度特性。其中，空穴输送剂为由下述通式(1)表示的腙化合物，并且，电子输送剂相对于四氢呋喃的溶解度(测定温度25℃)具有27～50重量％范围内的值。下述通式(1)中，R1和R2为分别独立的取代基，为氢原子、碳原子数1～6的烷基等，A1为甲基、苯基等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101520614A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810180761.4
申请日：2008-12-02
Applicant: 京瓷美达株式会社
Abstract: 本发明提供了一种单层型电子照相感光体和图像形成装置，即使在任何使用环境下形成图像时都能够有效抑制感光层表面上的成膜和由此引起的形成图像中的黑点的产生，进而，可以有效地发挥具有特定结构的腙化合物的优异的电荷输送能力，能够稳定地保持感光度特性。其中，空穴输送剂为由所述通式(1)表示的腙化合物，并且，电子输送剂相对于四氢呋喃的溶解度(测定温度25℃)具有27～50重量％范围内的值。所述通式(1)中，R1和R2为分别独立的取代基，为氢原子、碳原子数1～6的烷基等，A1为甲基、苯基等。
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公开(公告)号：CN102540785A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110079106.1
申请日：2011-03-25
Applicant: 京瓷美达株式会社
CPC classification number: G03G5/0696 , G03G5/043 , G03G5/0528 , G03G2215/00957
Abstract: 本发明涉及电子照相感光体和图像形成装置，通过含有以具有特殊物性的氧钛酞菁结晶为主成分的电荷发生剂的电荷发生层和在电荷输送层含有吸收除电光波长的酞菁类结晶，从而提供不发生由转印工序引发的曝光记忆的电子照相感光体。此外，本发明的图像形成装置由于将此电子照相感光体作为图像载体来提供，从而可连续地提供良好的图像。
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公开(公告)号：CN102269944A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010545733.5
申请日：2010-11-11
Applicant: 京瓷美达株式会社
CPC classification number: G03G5/0578 , G03G5/0575 , G03G5/0596 , G03G5/0696
Abstract: 本发明涉及电子照相感光体和图像形成装置，通过在导电性基体上形成有感光层的带正电单层型电子照相感光体的感光层中配合相对于上述感光层材料的全部质量为0.005～0.021质量％的聚硅氧烷油，提供在上述感光层不产生涂膜缺陷、使用由接触带电方式施加直流电压的带电部时也可抑制使用初期的表面电位的下降、图像不良的产生得到抑制的带正电单层型电子照相感光体，以及具备此电子照相感光体作为图像载体的图像形成装置。
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公开(公告)号：CN101644904A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910137398.2
申请日：2009-04-29
Applicant: 京瓷美达株式会社
Inventor： 宍户真
Abstract: 本发明提供一种电子照相感光体、其制造方法及图像形成装置。电子照相感光体具有圆筒型基体和配置在圆筒型基体上的感光层。感光层具有薄膜层和感光层本体。薄膜层配置在圆筒型基体的端部上、具有0.1μm～3μm范围内的厚度。感光层本体配置在圆筒型基体的端部以外的区域上、具有大于薄膜层的厚度。本发明的电子照相感光体、其制造方法及图像形成装置可以有效地抑制感光层的剥离，且制造效率优异。
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公开(公告)号：CN101446780A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810180970.9
申请日：2008-11-20
Applicant: 京瓷美达株式会社
Abstract: 本发明提供单层型电子照相感光体和图像形成装置。所述单层型电子照相感光体包括基体和在基体上设置的单层感光层，感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂，空穴输送剂是用右述通式(1a)或(1b)表示的化合物，所述电子输送剂在25℃的条件下对四氢呋喃的溶解度为27～50质量％。通式(1a)中，R1～R4分别独立表示碳原子数为6～20的取代或非取代芳基，Ar1表示碳原子数为6～20的取代或非取代芳烯基，通式(1b)中，R5、R6分别独立表示碳原子数为6～20的取代或非取代芳基，Ar2表示碳原子数为6～20的取代或非取代芳烯基，R7以及R8中的至少一方可以与Ar2结合而形成环，在R7以及R8与Ar2不结合的情况下，R7、R8分别独立表示碳原子数为1～15的取代或非取代烷基、碳原子数为7～15的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为6～30的取代或非取代芳基，在R7以及R8中的至少一方与Ar2结合的情况下，与Ar2结合的R7以及R8分别独立表示碳原子数为1～15的取代或非取代亚烷基或者碳原子数为6～30的取代或非取代芳烯基，与Ar2不结合的R7或者R8表示碳原子数为1～15的取代或非取代烷基、碳原子数为7～15的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为6～30的取代或非取代芳基，n表示0或1的整数。由此，抑制膜化和黑斑，并且有效地发挥电荷输送剂具有的优良的输送电荷能力。
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