公开(公告)号：CN100576970C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200680016938.6

申请日：2006-05-02

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： K·阮 ,  Z·杨

IPC: H05K3/00

CPC classification number: H05K3/046 ,  H05K2201/0112 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107

Abstract: 在接收基质(110)上通过激光烧蚀转移法形成电导体图案的方法包括形成导电材料的金属纳米粒子。形成供体基质(45)。在供体基质的第一侧上沉积脱模材料层(75)。金属纳米粒子被沉积在脱模材料之上。金属纳米粒子层与接收基质接触放置。图案被写入到由供体基质和接收基质形成的夹层上，使纳米粒子层(90)的金属纳米粒子退火并转移到接收基质，从而在接收基质上形成电导体的图案。

公开(公告)号：CN101199245A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680016938.6

申请日：2006-05-02

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： K·阮 ,  Z·杨

IPC: H05K3/00

CPC classification number: H05K3/046 ,  H05K2201/0112 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107

Abstract: 在接收基质(110)上通过激光烧蚀转移法形成电导体图案的方法包括形成导电材料的金属纳米粒子。形成供体基质(45)。在供体基质的第一侧上沉积脱模材料层(75)。金属纳米粒子被沉积在脱模材料之上。金属纳米粒子层与接收基质接触放置。图案被写入到由供体基质和接收基质形成的夹层上，使纳米粒子层(90)的金属纳米粒子退火并转移到接收基质，从而在接收基质上形成电导体的图案。