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公开(公告)号：CN106165126A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015794.1
申请日：2015-02-23
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , G06F17/505 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/46
Abstract: 提供了包含缓冲结构和邻近该缓冲结构的第一面形成的一组半导体层的半导体结构。该缓冲结构能够具有有效的晶格常数以及厚度使得该组半导体层内的总体应力在室温下为压缩性的并且在大约0.1GPa和大约2.0GPa之间的范围内。能够使用一组生长参数来生长该缓冲结构，该组生长参数经选择以实现目标有效的晶格常数a，控制在该缓冲结构的生长过程中存在的应力，和/或控制在冷却该半导体结构后存在的应力。
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公开(公告)号：CN105765742A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480054847.6
申请日：2014-10-02
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: 描述了一种包括阳极氧化铝层的半导体结构。所述阳极氧化铝层可位于半导体层和另一个材料层之间。所述阳极氧化铝层可包括延伸到所述半导体层的相邻表面的多个孔。所述材料层可渗入至少一些所述多个孔并与所述半导体层直接接触。在说明性的实施方案中，所述材料层为传导材料，并且所述阳极氧化铝位于p型接触部处。
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公开(公告)号：CN106165126B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201580015794.1
申请日：2015-02-23
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , G06F17/505 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/46
Abstract: 提供了包含缓冲结构和邻近该缓冲结构的第一面形成的一组半导体层的半导体结构。该缓冲结构能够具有有效的晶格常数以及厚度使得该组半导体层内的总体应力在室温下为压缩性的并且在大约0.1GPa和大约2.0GPa之间的范围内。能够使用一组生长参数来生长该缓冲结构，该组生长参数经选择以实现目标有效的晶格常数a，控制在该缓冲结构的生长过程中存在的应力，和/或控制在冷却该半导体结构后存在的应力。
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公开(公告)号：CN105765742B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201480054847.6
申请日：2014-10-02
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/30
Abstract: 描述了一种包括阳极氧化铝层的半导体结构。所述阳极氧化铝层可位于半导体层和另一个材料层之间。所述阳极氧化铝层可包括延伸到所述半导体层的相邻表面的多个孔。所述材料层可渗入至少一些所述多个孔并与所述半导体层直接接触。在说明性的实施方案中，所述材料层为传导材料，并且所述阳极氧化铝位于p型接触部处。
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